[发明专利]量子阱场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202080064602.7 | 申请日： | 2020-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN114402439A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | M·J·曼弗拉;C·F·托马斯 | 申请（专利权）人： | 微软技术许可有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/205;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种量子阱场效应晶体管(QWFET)，包括：
·源极触点、漏极触点和栅极触点；
·阻挡层，包括锑化铝铟，其中所述阻挡层是未掺杂的；
·量子阱层，在所述阻挡层上，其中所述量子阱层在所述源极触点与所述漏极触点之间，并且所述量子阱层包括锑化铟；
·间隔层，在所述量子阱层上，其中所述间隔层在所述源极触点与所述漏极触点之间，所述间隔层包括锑化铝铟，并且所述间隔层是未掺杂的；以及
·介电层，在所述间隔层上，其中所述栅极触点在与所述间隔层相对的所述介电层上。
2.根据权利要求1所述的QWFET，其中所述量子阱层直接在所述阻挡层上，并且所述间隔层直接在所述量子阱层上。
3.根据权利要求2所述的QWFET，其中所述阻挡层和所述间隔层由锑化铝铟组成。
4.根据权利要求3所述的QWFET，其中所述QWFET是增强模式器件。
5.根据权利要求2所述的QWFET，其中所述QWFET是增强模式器件。
6.根据权利要求1所述的QWFET，其中所述阻挡层和所述间隔层由锑化铝铟组成。
7.根据权利要求6所述的QWFET，其中所述QWFET是增强模式器件。
8.根据权利要求1所述的QWFET，其中所述QWFET是增强模式器件。
9.一种用于制造量子阱场效应晶体管(QWFET)的方法，包括：
·设置阻挡层，其中所述阻挡层包括锑化铝铟，并且所述阻挡层是未掺杂的；
·在所述阻挡层上设置量子阱层，其中所述量子阱层包括锑化铟；
·在所述量子阱层上设置间隔层，其中所述间隔层包括锑化铝铟，并且所述间隔层是未掺杂的；
·将源极触点和漏极触点设置为使得所述量子阱层和所述间隔层在所述源极触点与所述漏极触点之间；
·在所述间隔层上设置介电层；以及
·在所述介电层上设置栅极触点。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述量子阱层被直接设置在所述阻挡层上，并且所述间隔层被直接设置在所述量子阱层上。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述阻挡层和所述间隔层由锑化铝铟组成。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述QWFET是增强模式器件。
13.根据权利要求10所述的方法，其中所述QWFET是增强模式器件。
14.根据权利要求9所述的方法，其中所述阻挡层和所述间隔层由锑化铝铟组成。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述QWFET是增强模式器件。
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