[发明专利]原子层蚀刻和离子束蚀刻图案化

权利要求书

1.一种相对于掩模而选择性蚀刻堆叠件的方法，其包括：

提供原子层蚀刻以至少对所述堆叠件进行部分蚀刻，其中所述原子层蚀刻形成至少一些残留物；以及

提供对所述堆叠件的离子束蚀刻，其中所述离子束蚀刻将来自所述原子层蚀刻的所述残留物中的至少一些移除。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供所述原子层蚀刻包括多个循环，其中每个循环包括：

改性阶段，其包括：

提供包括含卤素气体的改性气体，所述含卤素气体包括选自由硅、锗、碳、钛和锡组成的群组的元素；以及

将所述改性气体转化为等离子体，其中来自所述等离子体的成分对所述堆叠件的表面的一部分进行改性，以形成经改性的表面；以及

活化阶段，其中所述活化阶段对所述堆叠件的所述经改性的表面进行蚀刻。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述含卤素气体选自由碘硅烷、溴硅烷、氯硅烷、氢氯硅烷和氟硅烷组成的群组。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述活化阶段包括：

提供活化气体；以及

将所述活化气体进行活化。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述活化阶段还包括施加偏压。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述活化阶段产生金属四族卤素分子。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述金属四族卤素分子包括金属、硅和卤素。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述堆叠件包括至少一含金属层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述堆叠件包括至少一含过渡金属层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供所述离子束蚀刻包括：以连续变化的角度将气体离子朝向所述堆叠件引导。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述离子束蚀刻减少所述堆叠件的斜度。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述离子束蚀刻将渗入所述堆叠件的含金属层的卤素移除。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述离子束蚀刻将渗入所述堆叠件的含金属层的氯移除，而不对所述堆叠件的所述含金属层进行蚀刻。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供所述原子层蚀刻包括多个循环，其中每个循环包括：

改性阶段，其包括：

提供包括含卤素气体的改性气体；以及

将所述改性气体转化为等离子体，其中来自所述等离子体的成分对所述堆叠件的表面的一部分进行改性，以形成经改性的表面；以及

活化阶段，其中所述活化阶段对所述堆叠件的所述经改性的表面进行蚀刻。

15.根据权利要求1所述的方法，其还包括在提供所述原子层蚀刻前，提供离子束开口蚀刻。