[发明专利]高性能高压隔离器

权利要求书

1.一种集成电路，其包括；

半导体衬底；

在所述半导体衬底上方的多个电介质层，其包括顶部电介质层；

在所述顶部电介质层上方的金属板；

金属环，其在所述顶部电介质层上方并且基本上包围所述金属板；

保护涂层，其覆盖所述金属环并且覆盖所述金属板；以及

穿过所述保护涂层的沟槽开口，所述沟槽开口暴露了在所述金属板和所述金属环之间的所述顶部电介质，所述沟槽开口基本上包围所述金属板。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述金属板和所述金属环由铝制成并且位于所述顶部电介质层上。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述保护涂层包括覆盖所述金属环并且覆盖所述金属板的电介质衬垫，以及位于所述电介质衬垫上的电介质涂层，所述电介质涂层包括选自由氮化硅、氧氮化硅、富硅氮化硅、富硅氧氮化硅、氧碳氮化硅、碳氮化硅组成的组的氮化硅相关材料。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述金属板和所述金属环包括铜并且位于所述顶部电介质层内。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述保护涂层包括覆盖所述金属环并且覆盖所述金属板的电介质衬垫，以及位于所述电介质衬垫上的电介质涂层，所述电介质衬垫包括选自由氮化硅、氧氮化硅、富硅氮化硅、富硅氧氮化硅、氧碳氮化硅和碳氮化硅组成的组的第一氮化硅相关材料。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述金属环与所述半导体衬底导电连接；所述金属板为顶部金属板；并且所述集成电路包括直接位于所述顶部金属板和所述半导体衬底之间的底部金属板。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其包括穿过所述保护涂层的接触开口，所述接触开口暴露了所述金属板。

8.一种集成电路，其包括；

半导体衬底；

在所述半导体衬底上方的多个电介质层，其包括顶部电介质层；

在所述顶部电介质层上方的金属线圈；

金属环，其位于所述顶部电介质层上方并基本上包围所述金属线圈；

保护涂层，其覆盖所述金属环并且覆盖所述金属线圈；以及

穿过所述保护涂层的沟槽开口，所述沟槽开口暴露了所述金属线圈和所述金属环之间的所述顶部电介质层，所述沟槽开口基本上包围所述金属线圈。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述金属线圈和所述金属环由铝形成并且位于所述顶部电介质层上。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述保护涂层包括覆盖所述金属环并且覆盖所述至少金属线圈的电介质衬垫，以及位于所述电介质衬垫上的电介质涂层，所述电介质涂层包括选自由氮化硅、氧氮化硅、富硅氮化硅、富硅氧氮化硅、氧碳氮化硅和碳氮化硅组成的组的氮化硅相关材料。

11.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述金属线圈和所述金属环包括铜并且位于所述顶部电介质层内。

12.根据权利要求11所述的集成电路，其中所述保护涂层包括覆盖所述金属环并且覆盖所述金属线圈的电介质衬垫，以及位于所述电介质衬垫上的电介质涂层，所述电介质衬垫包括选自由氮化硅、氧氮化硅、富硅氮化硅、富硅氧氮化硅、氧碳氮化硅和碳氮化硅组成的组的第一氮化硅相关材料。

13.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述金属环与所述半导体衬底导电连接；所述金属线圈为顶部金属线圈；并且所述集成电路还包括直接位于所述顶部金属线圈和所述半导体衬底之间的下部金属线圈。

14.根据权利要求9所述的集成电路，其还包括穿过所述保护涂层的接触开口，所述接触开口将接触件暴露于所述金属线圈。