[发明专利]活性物质及其制造方法、电极以及二次电池

权利要求书

1.一种活性物质，包含如下元素作为构成元素：

硅(Si)；

氧(O)；

第一元素，所述第一元素包含硼(B)及磷(P)中的至少一方；

第二元素，所述第二元素包含碱金属元素、过渡元素及典型元素中的至少一种，其中所述典型元素不包括硅、氧、硼、磷、碱金属元素及碱土金属元素；以及

第三元素，所述第三元素包含碱土金属元素，

除了所述氧及碳(C)以外的所有构成元素中的各构成元素的含量为：

所述硅为60原子％以上且98原子％以下，

所述第一元素为1原子％以上且25原子％以下，

所述第二元素为1原子％以上且34原子％以下，

所述第三元素为0原子％以上且6原子％以下，

在使用X射线光电子能谱法XPS测定的Si2p的XPS光谱中，当所述XPS光谱的横轴为结合能，结合能的单位为eV，所述XPS光谱的纵轴为光谱强度时，检测出在所述结合能为102eV以上且105eV以下的范围内具有顶点、并且在所述结合能比所述顶点小的侧具有肩部的第一峰，

在使用拉曼分光法测定的拉曼光谱中，当所述拉曼光谱的横轴为拉曼位移，拉曼位移的单位为cm^-1，所述拉曼光谱的纵轴为光谱强度时，检测出在所述拉曼位移为435cm^-1以上且465cm^-1以下的范围内具有顶点的第二峰。

2.根据权利要求1所述的活性物质，

所述第一峰的半值宽度为4.0eV以上。

3.根据权利要求1或2所述的活性物质，

如果将所述第一峰分解成Si⁰峰、Si¹⁺峰、Si²⁺峰、Si³⁺峰及Si⁴⁺峰，则Si⁰峰的面积、Si¹⁺峰的面积、Si²⁺峰的面积和Si³⁺峰的面积之和S2相对于Si⁴⁺峰的面积S1之比S2/S1为0.85以上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的活性物质，所述活性物质具备：

中心部，所述中心部包含所述硅、所述氧、所述第一元素、所述第二元素及所述第三元素作为构成元素，在所述XPS光谱中检测出所述第一峰，并且在所述拉曼光谱中检测出所述第二峰；以及

被覆部，被覆所述中心部的表面中的至少一部分，并且包含所述碳作为构成元素。

5.一种活性物质的制造方法，包括：

准备硅酸玻璃，所述硅酸玻璃包含如下元素作为构成元素：硅(Si)；氧(O)；第一元素，所述第一元素包含硼(B)及磷(P)中的至少一方；第二元素，所述第二元素包含碱金属元素、过渡元素及典型元素中的至少一种，其中所述典型元素不包括硅、氧、硼、磷、碱金属元素及碱土金属元素；以及第三元素，所述第三元素包含碱土金属元素，

通过将所述硅酸玻璃与碳源混合，制成所述硅酸玻璃与所述碳源的混合物，

通过加热所述混合物，制造包含所述硅、所述氧、所述第一元素、所述第二元素及所述第三元素作为构成元素的活性物质，

在所述活性物质中，除了所述氧及碳(C)以外的所有构成元素中的各构成元素的含量为：

所述硅为60原子％以上且98原子％以下，

所述第一元素为1原子％以上且25原子％以下，

所述第二元素为1原子％以上且34原子％以下，

所述第三元素为0原子％以上且6原子％以下。

6.根据权利要求5所述的活性物质的制造方法，

所述碳源包含碳材料及可碳化的有机物中的至少一方。