[发明专利]用于DAX光栅的稳定顶部桥制造在审
申请号: | 202080068056.4 | 申请日: | 2020-08-18 |
公开(公告)号: | CN114467022A | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | T·克勒;A·亚罗申科;G·福格特米尔;B·R·戴维;J·莫尔;P·R·M·范比尔斯;P·迈尔;M·里希特;J·舒尔茨 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦有限公司 |
主分类号: | G01N23/041 | 分类号: | G01N23/041;G01N23/046 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 孟杰雄 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 dax 光栅 稳定 顶部 制造 | ||
1.一种用于产生成像装置的X射线光栅的方法(100),所述成像装置用于X射线暗场成像和/或X射线相衬成像,所述方法包括以下步骤:
a)在平坦样本(16)上产生(110)具有多个周期性布置的光栅网(12)和光栅开口(14)的抗蚀剂负光栅(10);
b)通过以下操作通过电镀来填充(120)所述平坦样本上的所述光栅开口:持续进行所述电镀直到所述光栅网的高度以形成光栅薄片(18);
c)在所述抗蚀剂负光栅的顶部(22)上处理(130)窗体(26),所述窗体使得能够引入实质上垂直于所述光栅网的顶部桥(24);
d)使所述抗蚀剂负光栅弯曲(140)到期望半径;并且
e)通过电镀来填充(150)所述窗体以在使所述抗蚀剂负光栅弯曲之后形成所述顶部桥。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:
-在执行所述电镀之后移除所述光栅薄片之间的所述抗蚀剂负光栅。
3.根据权利要求1或2所述的方法,
其中,在步骤d)中,提供允许使所述抗蚀剂负光栅精确弯曲到所述期望半径的框架。
4.根据权利要求3所述的方法,
其中,所述框架的所述弯曲半径与所述成像装置中靠近于X射线管的安装位置兼容。
5.根据权利要求3或4所述的方法,
其中,所述框架是非导电材料的,或者所述框架完全由非导电材料覆盖。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,
其中,步骤e)还包括选择用于所述电镀的温度,其中,选定的温度被选择为使得在所述成像装置中的所述X射线光栅的操作条件下,所述X射线光栅的几何结构变化和/或机械应力最小或接近最小。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,
其中,所述顶部桥被成形为使得在所述成像装置中的所述X射线光栅的操作条件下,由于所述顶部桥造成的机械应力最小或接近最小。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,
其中,所述顶部桥和所述光栅薄片是由相同材料造出的。
9.根据权利要求1至7中的任一项所述的方法,
其中,所述光栅薄片是以高X射线吸收材料来电镀的;并且
其中,所述顶部桥是以低X射线吸收材料来电镀的。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,
其中,所述抗蚀剂负光栅包括用于使所述网稳定的多个稳定结构。
11.根据权利要求10所述的方法,
其中,所述稳定结构包括桥结构和/或太阳光线结构。
12.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,
其中,步骤d)中的所述弯曲是正弯曲或负弯曲。
13.一种由根据权利要求1所述的方法产生的微结构。
14.一种用于捕获对象的图像的成像装置(200),包括:
-X射线源(210);
-源光栅(G0);
-衍射光栅(G1),其用于使从所述X射线源发射的X射线衍射;
-吸收光栅(G2),其用于吸收由所述衍射光栅衍射的所述X射线的部分;以及
-探测器(220),其用于探测已经穿过所述吸收光栅的所述X射线;
其中,所述源光栅、所述衍射光栅和所述吸收光栅中的至少一项包括根据权利要求13所述的微结构。
15.一种用于执行X射线相衬和/或暗场成像的方法(300),包括:
-将对象(50)定位(310)在根据权利要求14所述的成像装置的所述源光栅(G0)与所述衍射光栅(G1)之间或者所述衍射光栅(G1)与所述吸收光栅(G2)之间;
-将X射线射束(52)发射(320)到所述对象上;并且
-探测(330)已经穿过所述对象、所述成像装置的所述源光栅、所述衍射光栅和所述吸收光栅的所述X射线射束以用于采集图像数据。
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