[发明专利]电力转换用半导体装置的状态推断系统及状态推断方法

权利要求书

1.一种电力转换用半导体装置的状态推断系统，具有：

分析处理部，对于具有一对主端子的电力转换用半导体装置，基于所述一对主端子之间正向偏置时和所述一对主端子之间反向偏置时分别检测出的所述一对主端子之间的电压的第一时刻历史数据、和所述一对主端子之间的正向电流及反向电流两者的检测值的第二时刻历史数据，将表示所述第一时刻历史数据中的电压的检测值和所述第二时刻历史数据中的电流的检测值的组合的点投影在包含电压轴和电流轴的坐标平面上，导出在所述坐标平面上投影出的所述点的分布；

推断处理部，基于投影出的所述点的分布推断所述电力转换用半导体装置的状态。

2.根据权利要求1所述的电力转换用半导体装置的状态推断系统，具有：

第一数据收集部，将所述第一时刻历史数据作为表示所述电压的检测值的第一时间序列数据进行收集；

第二数据收集部，将所述第二时刻历史数据作为表示所述电流的检测值的第二时间序列数据进行收集。

3.根据权利要求2所述的电力转换用半导体装置的状态推断系统，其中，

具有数据获取部，获取所述第一时间序列数据和所述第二时间序列数据，将能够对分别检测出所述电压和所述电流的时刻进行识别的时刻历史标识符作为关键词，将所述第一时间序列数据中的电压值数据和所述第二时间序列数据中的电流值数据进行组合。

4.根据权利要求1所述的电力转换用半导体装置的状态推断系统，其中，

所述推断处理部基于投影出的所述点的分布检测所述电力转换用半导体装置的续流二极管的导通特性的经时变化，由此推断所述续流二极管的状态。

5.根据权利要求1所述的电力转换用半导体装置的状态推断系统，其中，

所述电力转换用半导体装置包括续流二极管逆并联连接而成的IGBT、和MOSFET中的任一个。

6.根据权利要求1所述的电力转换用半导体装置的状态推断系统，具有：

副控制部，对检测用于转换为所述第一时刻历史数据的所述电压的第一定时进行生成；

主控制部，对检测用于转换为所述第二时刻历史数据的所述电流的第二定时进行生成。

7.根据权利要求1所述的电力转换用半导体装置的状态推断系统，其中，

具有电压检测电路，形成为能够在使用所述电力转换用半导体装置进行电力转换的运行过程中检测在所述电力转换用半导体装置的所述一对主端子之间施加的所述电压。

8.根据权利要求7所述的电力转换用半导体装置的状态推断系统，其中，

所述电压检测电路将向所述电力转换用半导体装置的控制端子供给控制信号的驱动电路的基准电位作为基准电位，从向所述驱动电路供给直流电的直流电源接收电力的供给。

9.根据权利要求7所述的电力转换用半导体装置的状态推断系统，其中，

所述电压检测电路具有：

差分放大器，构成为以差分方式检测所述主端子之间的电位差；

一对绝缘用二极管，具有期望的绝缘耐压特性，设置于所述一对主端子和所述差分放大器的各输入之间，以所述一对主端子的过大的电压不施加至所述差分放大器的各输入的方式进行绝缘；

偏置电路，构成为使偏置电流分别经由所述一对绝缘用二极管流至所述一对主端子中的每一个，

所述差分放大器在所述一对绝缘用二极管都处于接通状态时，输出与所述主端子之间的电位差相关的信号。

10.根据权利要求9所述的电力转换用半导体装置的状态推断系统，其中，

具有钳位电路，用于将所述差分放大器的各输入的电压的上限限制至正的限制电压，

所述正的限制电压是比所述差分放大器的正的允许输入电压低的电压，设定为超过所述一对主端子的电压的测定范围。