[发明专利]包括晶体管和二极管的电路及装置

权利要求书

1.一种电路，其包括：

晶体管，

所述晶体管的基极能够可切换地连接到信号源；

第一二极管，其连接在所述晶体管的基极与参考电压之间；

其中所述电路布置成使得当所述信号源不连接到所述晶体管的基极时，施加在所述晶体管的发射极处的电压引起电流流过所述晶体管的基极且流过所述第一二极管，使得所述晶体管处于接通状态；

所述信号源的阻抗低于所述晶体管的穿过发射极和基极的阻抗；

所述第一二极管被选择为提供限流功能，使得当所述信号源连接到所述晶体管的基极时，流过基极的电流减小，以使得所述晶体管切换到断开状态；并且其中

所述电路包括第二二极管，所述第二二极管由提供所述晶体管的基极的半导体区和与提供所述晶体管的基极的半导体区直接接触的另一半导体区构成；并且其中所述信号源能够通过所述第二二极管连接到所述晶体管的基极。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一二极管在所述电路中被布置成在所述电压被施加到所述晶体管的发射极端子时被反向偏置。

3.根据权利要求1所述的电路，其中用于提供所述第一二极管和/或所述第二二极管的半导体区的掺杂水平足够高，以使得电流流过所述第一二极管和/或所述第二二极管能够至少部分地由量子隧穿效应引起。

4.根据权利要求1、2或3所述的电路，其中所述第一二极管的温度系数在-2mV/℃至2mV/℃的范围内，包含-2mV/℃和2mV/℃。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电路，其中所述第一二极管为齐纳二极管。

6.根据权利要求5所述的电路，其中所述第一二极管的齐纳电压在4伏至5.6伏之间，包含4伏和5.6伏。

7.根据权利要求6所述的电路，其中所述第一二极管的齐纳电压为约5.6伏。

8.根据在前的任一项权利要求所述的电路，其中所述第二二极管为齐纳二极管。

9.根据在前的任一项权利要求所述的电路，其中当所述电路在操作中时，所述第二二极管两端的电压降小于所述晶体管的基极与发射极之间的电压降。

10.根据在前的任一项权利要求所述的电路，其包括被布置在所述晶体管的集电极与所述晶体管的基极之间的第三二极管，所述第三二极管被布置成提供贝克箝位的功能。

11.一种反相器逻辑门电路，其包括根据在前的任一项权利要求所述的电路。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的电路，其包括一个或多个另外的二极管，所述一个或多个另外的二极管中的每一个由提供所述晶体管的基极的所述半导体区和与提供所述晶体管的基极的所述半导体区直接接触的一个或多个另外的半导体区构成；并且其中一个或多个另外的信号源能够通过所述一个或多个另外的二极管连接到所述晶体管的基极。

13.一种“或非”逻辑门电路，其包括根据权利要求12所述的电路。

14.一种操作电路的方法，

所述电路包括双极晶体管、二极管，所述二极管具有连接到所述晶体管的基极端子的第一端子，并且所述二极管的第二端子连接到参考电压；

一电压施加于所述晶体管的发射极端子与所述二极管的第二端子之间；

所述方法包括将所述晶体管的基极端子和所述二极管的第一端子可切换地连接到一信号源，所述信号源的阻抗比所述双极晶体管的发射极端子与基极端子之间的阻抗低，使得：

当不连接时，引起电流流过所述晶体管的基极端子且流过所述二极管以接通所述晶体管；

并且当连接时，流过所述晶体管的控制端子的电流减小以断开所述晶体管。