[发明专利]连接器用端子材

权利要求书

1.一种连接器用端子材，具有：

至少表面由Cu或Cu合金构成的基材；

形成于所述基材上且由Ni或Ni合金构成的Ni层；

形成于所述Ni层上且具有Cu₆Sn₅的Cu-Sn金属间化合物层；及

形成于所述Cu-Sn金属间化合物层上且由Sn或Sn合金构成的Sn层，

所述连接器用端子材的特征在于，

所述Ni层的厚度为0.1μm以上且1.0μm以下，所述Cu-Sn金属间化合物层的厚度为0.2μm以上且2.5μm以下，所述Sn层的厚度为0.5μm以上且3.0μm以下，

通过EBSD法以0.1μm的测量步长来分析所述Cu-Sn金属间化合物层及所述Sn层的截面，将相邻的像素间的取向差为2°以上的边界视为晶界，将所述Cu-Sn金属间化合物层中的所述Cu₆Sn₅的平均结晶粒径设为Dc，将所述Sn层的平均结晶粒径设为Ds时，平均结晶粒径Dc为0.5μm以上，粒径比Ds/Dc为5以下。

2.根据权利要求1所述的连接器用端子材，其特征在于，

所述Cu-Sn金属间化合物层由形成于所述Ni层上的Cu₃Sn层及形成于所述Cu₃Sn层上的所述Cu₆Sn₅层构成，所述Cu₃Sn层对于所述Ni层的被覆率为20％以上。

3.根据权利要求1或2所述的连接器用端子材，其特征在于，

所述Sn层由凝固组织构成。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的连接器用端子材，其特征在于，

当在所述Sn层的通过所述EBSD法划定的晶界中，将所述取向差为15°以上的晶界的长度设为La，将所述取向差为2°以上且小于15°的晶界的长度设为Lb时，Lb比率即Lb/(Lb+La)为0.1以上。

5.一种连接器用端子材的制造方法，具有：

镀敷处理工序，对至少表面由Cu或Cu合金构成的基材的表面，依次实施形成由Ni或Ni合金构成的镀敷层的镀Ni处理、形成由Cu或Cu合金构成的镀敷层的镀Cu处理及形成由Sn或Sn合金构成的镀敷层的镀Sn处理；及

回流焊处理工序，在所述镀敷处理工序之后，进行回流焊处理，

制造如下的连接器用端子材：所述连接器用端子材通过在所述基材上形成由Ni或Ni合金构成的Ni层、在所述Ni层上形成由Cu及Sn的金属间化合物构成的Cu-Sn金属间化合物层及在所述Cu-Sn金属间化合物层上形成由Sn或Sn合金构成的Sn层而成，

所述连接器用端子材的制造方法的特征在于，

所述回流焊处理包括：

加热工序，进行以20℃/秒以上且75℃/秒以下的升温速度加热至240℃以上的第一次加热处理及在所述第一次加热处理之后在240℃以上且300℃以下的温度加热1秒以上且15秒以下的时间的第二次加热处理；

第一次冷却工序，在所述加热工序之后，以30℃/秒以下的冷却速度进行冷却；及

第二次冷却工序，在所述第一次冷却之后，以100℃/秒以上且300℃/秒以下的冷却速度进行冷却。