[发明专利]光调制装置的制造方法

权利要求书

1.一种用于制造光调制装置的方法，包括：

将第一基底和第二基底层合，

其中在所述第一基底的第一表面上形成有压敏粘合剂层或粘合剂层，

其中在所述第二基底的第一表面上形成有间隔物和液晶配向膜，

其中所述第一基底和所述第二基底被层合成使得所述第一基底的第一表面和所述第二基底的第一表面面向彼此，以及

其中在所述层合之前、之后或期间进行热处理。

2.根据权利要求1所述的用于制造光调制装置的方法，其中在所述层合之前对所述第一基底进行所述热处理。

3.根据权利要求2所述的用于制造光调制装置的方法，其中所述热处理在80℃或更高的温度下进行30秒或更长时间。

4.根据权利要求1所述的用于制造光调制装置的方法，其中所述第一基底和所述第二基底的层合与所述热处理一起进行。

5.根据权利要求4所述的用于制造光调制装置的方法，其中所述第一基底和所述第二基底的层合在高于50℃且低于90℃的范围内的温度下进行。

6.根据权利要求1所述的用于制造光调制装置的方法，包括将所述第一基底和所述第二基底层合，然后对经层合的第一基底和第二基底进行热处理。

7.根据权利要求6所述的用于制造光调制装置的方法，其中所述热处理在60℃或更高的温度下进行。

8.根据权利要求6所述的用于制造光调制装置的方法，其中所述热处理进行30秒或更长时间。

9.根据权利要求1所述的用于制造光调制装置的方法，其中所述压敏粘合剂层或粘合剂层为有机硅压敏粘合剂层或粘合剂层。

10.根据权利要求1所述的用于制造光调制装置的方法，其中在所述第一基底上未形成液晶配向膜。

11.根据权利要求1所述的用于制造光调制装置的方法，其中所述层合在液晶化合物处于待层合的所述第一基底与所述第二基底之间的状态下进行，或者在将所述第一基底和所述第二基底层合之后进一步进行在所述第一基底与所述第二基底之间注入液晶化合物。

12.根据权利要求11所述的用于制造光调制装置的方法，其中在待层合的所述第一基底与所述第二基底之间还存在手性掺杂剂，或者在将所述第一基底和所述第二基底层合之后进一步进行在所述第一基底与所述第二基底之间注入手性掺杂剂。

13.根据权利要求12所述的用于制造光调制装置的方法，其中所述第一基底和所述第二基底被层合成使得所述第一基底与所述第二基底之间的间隔(d)相对于由所述手性掺杂剂形成的手性螺距(p)的比率(d/p)小于1。

14.根据权利要求1所述的用于制造光调制装置的方法，进一步进行在所述第一基底的第二表面或所述第二基底的第二表面上设置偏振层。

15.根据权利要求1所述的用于制造光调制装置的方法，进一步进行在所述第一基底的第二表面和所述第二基底的第二表面上设置两个偏振层，其中进行所述偏振层的设置使得在所述第一基底的第二表面和所述第二基底的第二表面上的所述偏振层的吸收轴彼此垂直或平行。