[发明专利]等离子体处理系统和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种处理系统，其包括：

处理室(101)，所述处理室(101)用于处理至少一个基板；以及

电感耦接等离子体源ICP源(120、120')，所述ICP源(120、120')具有纵向方向，其中所述ICP源(120、120')包括：

至少一个电感器(130；130a、130b；130a、130b、130c)，所述至少一个电感器(130；130a、130b；130a、130b、130c)沿所述ICP源(120、120')的所述纵向方向延伸；

用于一种或多种处理气体的供气装置(141、142)，所述供气装置(141、142)具有至少一个出口开口，所述至少一个出口开口被配置为沿所述ICP源(120、120')的所述纵向方向供应所述一种或多种处理气体；以及

设置在所述处理室(101)中的气体引导布置(150)，所述气体引导布置(150)沿所述ICP源(120、120')的所述纵向方向延伸并且部分地围绕所述至少一个电感器(130；130a、130b；130a、130b、130c)。

2.如权利要求1所述的处理系统，其中所述气体引导布置(150)包括气体罩(151)，所述气体罩(151)与所述至少一个电感器(130；130a、130b；130a、130b、130c)以及所述供气装置(141)的所述至少一个出口开口重叠。

3.如权利要求2所述的处理系统，其中所述气体罩(151)包括出口(152)，所述出口(152)的垂直于所述ICP源(120、120')的所述纵向方向的宽度B₁至多为300mm、特别是至多200mm、特别是至多150mm、特别是至多130mm。

4.如权利要求3所述的处理系统，其中所述气体罩(151)在其远离所述出口(152)的上侧上具有垂直于所述ICP源(120、120')的所述纵向方向的另外的宽度B₂，所述另外的宽度B₂小于所述出口(152)的所述宽度B₁。

5.如权利要求2至4中任一项所述的处理系统，其中所述气体罩(151)的内部宽度沿所述气体罩(151)的高度方向(119)减小。

6.如权利要求2至5中任一项所述的处理系统，其中所述气体引导布置(150)在所述气体引导布置(150)的中心平面中具有高度H以及具有垂直于所述ICP源(120、120')的的所述纵向方向的宽度B₁的出口(152)，其中所述出口(152)的宽度B₁与所述气体引导布置(150)的所述高度H之间的比率B₁/H小于1.0、特别是小于0.7、特别是小于0.6、特别是小于0.5。

7.如权利要求2至6中任一项所述的处理系统，其中所述供气装置(141、142)包括至少一个供气管(141、142)，所述至少一个供气管(141、142)在气体罩(151)中沿所述ICP源(120、120')的所述纵向长度平行于所述至少一个电感器(130；130a、130b；130a、130b、130c)延伸。

8.如前述权利要求中任一项所述的处理系统，其中所述供气装置(141、142)的所述出口开口和所述至少一个电感器(130；130a、130b；130a、130b、130c)沿所述供气装置(141、142)的中心平面(160)彼此间隔开，其中优选地，供气管(141)的所述出口开口定位在所述至少一个电感器(130；130a、130b；130a、130b、130c)上方。

9.如前述权利要求中任一项所述的处理系统，其中所述至少一个电感器(130；130a、130b；130a、130b、130c)包括第一电感器(130a)和第二电感器(130b、130c)。

10.如权利要求9所述的处理系统，其中所述第一电感器(130a)与所述第二电感器(130b)串联电连接。