[发明专利]负极、制造该负极的方法、和包括该负极的二次电池在审

专利信息
申请号: 202080069843.0 申请日: 2020-11-06
公开(公告)号: CN114514641A 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 洪莲叔;尹锡逸;权俊 申请(专利权)人: 株式会社LG新能源
主分类号: H01M4/66 分类号: H01M4/66;H01M4/139;H01M4/13;H01M10/052;H01M10/42
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 负极 制造 方法 包括 二次 电池
【权利要求书】:

1.一种负极,包括:

集电器;

形成在所述集电器的前表面上的负极活性材料层;和

形成在所述集电器的后表面上的聚合物层,其中所述聚合物层包括具有由下式1表示的第一单元、以及由下式2表示的第二单元和由下式3表示的第三单元中的至少一者的共聚物:

[式1]

[式2]

[式3]

其中,在上式3中,R各自独立地是H或CH2CO2H。

2.根据权利要求1所述的负极,其中所述共聚物的重均分子量是200,000g/mol至1,000,000g/mol。

3.根据权利要求1所述的负极,其中所述共聚物的重均分子量是300,000g/mol至600,000g/mol。

4.根据权利要求1所述的负极,其中由上式2表示的所述第二单元和由上式3表示的所述第三单元的总和在所述共聚物中的含量是10mol%至90mol%。

5.根据权利要求1所述的负极,其中所述聚合物层的厚度是0.1μm至10μm。

6.根据权利要求1所述的负极,进一步包括设置在所述负极活性材料层上的锂。

7.一种制造负极的方法,所述方法包括:

在集电器的后表面上形成聚合物层;

在所述集电器的前表面上形成初级负极活性材料层;和

在所述初级负极活性材料层上形成包括锂的预锂化层,其中所述聚合物层包括具有由下式1表示的第一单元、以及由下式2表示的第二单元和由下式3表示的第三单元中的至少一者的共聚物:

[式1]

[式2]

[式3]

其中,在上式3中,R各自独立地是H或CH2CO2H。

8.根据权利要求7所述的方法,其中所述共聚物的重均分子量是200,000g/mol至1,000,000g/mol。

9.根据权利要求7所述的方法,其中所述共聚物的重均分子量是300,000g/mol至600,000g/mol。

10.根据权利要求7所述的方法,其中由上式2表示的所述第二单元和由上式3表示的所述第三单元的总和在所述共聚物中的含量是10mol%至90mol%。

11.根据权利要求7所述的方法,其中所述聚合物层的厚度是0.1μm至10μm。

12.根据权利要求7所述的方法,其中所述预锂化层的厚度是0.1μm至20μm。

13.根据权利要求7所述的方法,其中所述聚合物层的厚度相对于所述预锂化层的厚度的比值是1:200至100:1。

14.一种二次电池,包括权利要求1所述的负极。

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