[发明专利]半导体元件和半导体装置

权利要求书

1.一种半导体元件，其至少包含层叠结构体，所述层叠结构体通过在由氧化物半导体膜构成的半导体层上层叠第一金属层、第二金属层和第三金属层而成，第一金属层、第二金属层和第三金属层分别由互不相同的一种或两种以上的金属构成，第一金属层和第三金属层之间配置有第二金属层，第二金属层包含Pt或/和Pd，第一金属层与所述半导体层欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述氧化物半导体膜具有刚玉结构。

3.根据权利要求2所述的半导体元件，其中，所述氧化物半导体膜的主面为m面。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体元件，其中，所述氧化物半导体膜包含氧化镓和/或氧化铱。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体元件，其中，所述氧化物半导体膜包含氧化镓。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体元件，其中，所述氧化物半导体膜包含掺杂剂。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体元件，其中，第一金属层为Ti层或In层。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体元件，其中，第三金属层为由选自Au、Ag和Cu中的至少一种或两种以上的金属构成的金属层。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体元件，其中，进一步地，与第三金属层接触而配置有多孔层。

10.根据权利要求9所述的半导体元件，其中，所述多孔层的空隙率为10％以下。

11.根据权利要求9或10所述的半导体元件，其中，所述多孔层包含贵金属。

12.根据权利要求9～11中任一项所述的半导体元件，其中，进一步地，在所述多孔层上配置有基板。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的半导体元件，其中，进一步地，包含肖特基电极。

14.根据权利要求13所述的半导体元件，其中，所述肖特基电极包含Mo和/或Co。

15.根据权利要求13或14所述的半导体元件，其中，在所述氧化物半导体膜的第一面侧配置有所述肖特基电极，在处于所述第一面侧的相反侧的第二面侧配置有欧姆电极。

16.根据权利要求13～15中任一项所述的半导体元件，其中，所述肖特基电极至少包含第一金属层、第二金属层和第三金属层，该第一金属层、该第二金属层和该第三金属层分别由互不相同的金属构成，在该第一金属层和该第三金属层之间配置有该第二金属层，该第一金属层比该第三金属层更靠近所述半导体层侧。

17.根据权利要求16所述的半导体元件，其中，所述肖特基电极的第一金属层为Co层或Mo层。

18.根据权利要求16或17所述的半导体元件，其中，所述肖特基电极的第二金属层为Ti层。

19.根据权利要求16～18中任一项所述的半导体元件，其中，所述肖特基电极的第三金属层为Al层。

20.一种半导体元件，至少具备由氧化物半导体膜构成的半导体层、肖特基电极和欧姆电极，其特征在于，

所述肖特基电极包含Co层或Mo层，

所述欧姆电极至少包含第一金属层、第二金属层和第三金属层，该第一金属层为Ti层或In层，该第二金属层为Pt层或Pd层，该第三金属层为由选自Au、Ag和Cu中的至少一种或两种以上金属构成的金属层。