[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

半导体膜；和

多孔层，配置在所述半导体膜的第一面侧或作为第一面侧的相反侧的第二面侧，

所述多孔层的空隙率为10％以下。

2.一种半导体元件，其特征在于，包含：

半导体膜；和

多孔层，配置在所述半导体膜的第一面侧或作为第一面侧的相反侧的第二面侧，

所述多孔层包含贵金属。

3.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其中，所述半导体膜为氧化物半导体膜。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体元件，其中，所述半导体膜具有刚玉结构。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体元件，其中，所述半导体膜的主面为m面。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体元件，其中，所述半导体膜包含氧化镓和/或氧化铱。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体元件，其中，所述半导体膜包含掺杂剂。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体元件，其中，所述多孔层为银多孔层。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体元件，其中，还包含与所述多孔层粘接的基板。

10.根据权利要求9所述的半导体元件，其中，在所述基板的表面的至少一部分中包含镍。

11.根据权利要求9所述的半导体元件，其中，在所述基板的表面的至少一部分中包含金。

12.根据权利要求3所述的半导体元件，其中，进一步包含覆盖所述氧化物半导体膜的至少侧面的介电膜。

13.根据权利要求12所述的半导体元件，其中，所述介电膜覆盖所述氧化物半导体膜的整个侧面。

14.根据权利要求12或13所述的半导体元件，其中，所述介电膜覆盖所述氧化物半导体膜的第一面的至少一部分。

15.根据权利要求12～14中任一项所述的半导体元件，其中，所述氧化物半导体膜的侧面具有锥形部。

16.根据权利要求15所述的半导体元件，其中，所述氧化物半导体膜的侧面的锥形部以从所述氧化物半导体膜的第一面向第二面扩展的方式倾斜。

17.一种半导体元件，至少包含：

半导体膜；

第一电极，配置在所述半导体膜的第一面侧；和

第二电极，配置在处于所述第一面侧的相反侧的第二面侧，

其特征在于，

所述半导体元件进一步包含与第二电极接触配置的多孔层，所述多孔层的空隙率在10％以下。

18.根据权利要求17所述的半导体元件，其中，所述第二电极至少包含第一金属层、第二金属层和第三金属层。

19.根据权利要求18所述的半导体元件，其中，所述第二金属层配置在所述第一金属层和所述第三金属层之间，所述第二金属层为Pt层或Pd层。

20.根据权利要求18或19所述的半导体器件，其中，所述第一金属层为Ti层或In层。

21.根据权利要求18～20中任一项所述的半导体元件，其中，所述第三金属层为选自Au层、Ag层和Cu层中的至少一个金属层。