[发明专利]半导体处理腔室

权利要求书

1.一种半导体处理系统，包括：

基座，所述基座被配置为支撑半导体基板，所述基座能作为第一等离子体产生电极操作；

盖板，所述盖板限定径向容积；

面板，所述面板由所述盖板支撑，所述面板能作为第二等离子体产生电极操作，其中等离子体处理区域在由所述面板限定的所述径向容积内被限定在所述基座与所述面板之间，并且其中所述面板限定多个第一孔；以及

喷头，所述喷头定位在所述面板与所述基座之间，其中所述喷头限定多个第二孔，所述第二孔包括比所述多个第一孔更多数量的孔。

2.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述喷头包括介电材料。

3.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述喷头限定至少两倍于所述面板的孔。

4.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述多个第二孔中的每个孔从所述多个第一孔中的每个孔偏移。

5.如权利要求4所述的半导体处理系统，其中所述多个第二孔中的第一子集的孔由与所述多个第一孔类似的孔图案来表征，并且其中所述第一子集的孔中的每个孔沿着相对于穿过所述喷头的中心轴的角度从所述多个第一孔的相关联的孔偏移。

6.如权利要求4所述的半导体处理系统，其中所述多个第二孔中的第二子集的孔由与所述多个第一孔类似的孔图案来表征，并且其中所述第二子集的孔中的每个孔沿着相对于穿过所述喷头的中心轴的半径从所述多个第一孔的相关联的孔偏移。

7.如权利要求1所述的半导体处理系统，进一步包括环形衬里，所述环形衬里定位在由所述盖板限定的所述径向容积内，其中所述环形衬里由面向所述喷头的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面来表征。

8.如权利要求7所述的半导体处理系统，其中所述环形衬里限定围绕所述环形衬里的外表面延伸的突起部，并且其中所述突起部从所述环形衬里的所述第一表面凹入并限定面向所述环形衬里的所述第一表面的第一壁架和面向所述环形衬里的所述第二表面的第二壁架。

9.如权利要求8所述的半导体处理系统，进一步包括：

第一弹性元件，所述第一弹性元件围绕所述第一壁架延伸，其中所述第一弹性元件延伸超过所述环形衬里的所述第一表面，并且其中所述喷头安置在所述第一弹性元件上；以及

第二弹性元件，所述第二弹性元件围绕所述第二壁架延伸。

10.如权利要求9所述的半导体处理系统，进一步包括安置在所述盖板上的间隔件，所述间隔件限定第一凹陷壁架，其中所述第二弹性元件安置在所述间隔件的所述第一凹陷壁架上，并且其中所述间隔件在所述第一凹陷壁架的径向外侧限定第二凹陷壁架。

11.如权利要求10所述的半导体处理系统，其中所述喷头在所述喷头的外边缘周围限定多个凹口，其中所述半导体处理系统进一步包括：

多个对准销，所述多个对准销中的每个对准销至少部分地设置在所述多个凹口中的凹口内，其中所述多个对准销中的每个对准销安置在所述间隔件的所述第二凹陷壁架上。

12.一种半导体处理系统，包括：

盖板，所述盖板至少部分地限定用于等离子体处理的径向容积；

间隔件，所述间隔件安置在所述盖板上并且至少部分地在所述径向容积内延伸，所述间隔件由第一表面和与所述第一表面相对的第二表面来表征，所述间隔件沿着所述间隔件的所述第二表面安置在所述盖板上；

面板，所述面板安置在所述间隔件的所述第一表面上，并且从上方至少部分地限定所述径向容积，所述面板限定多个第一孔；以及

气箱，其中所述面板设置在所述气箱与所述间隔件之间，其中所述气箱限定中心孔，并且其中所述气箱在所述气箱的第一表面内限定第一通道。