[发明专利]用于发射ZENNECK表面波的各向异性本构参数在审
申请号: | 202080070624.4 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN114556741A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | B.R.吉恩;J.D.莉莉;B.J.廷林 | 申请(专利权)人: | CPG技术有限责任公司 |
主分类号: | H02J50/00 | 分类号: | H02J50/00;H02J50/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张晓明 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 发射 zenneck 表面波 各向异性 参数 | ||
1.一种被引导表面波装置,包括:
发射结构或接收结构;以及
各向异性本构参数(ACP)元件的阵列,分布在所述发射结构或所述接收结构周围的陆地介质上方,ACP元件的所述阵列包括:
定位在所述陆地介质上方的第一多个径向电阻性人工各向异性电介质(RRAAD)元件,所述第一多个RRAAD元件包括在第一朝向上延伸的一个或多个系列的互连的RRAAD元件,其中所述第一多个RRAAD元件在所述陆地介质上方一定高度处形成水平层。
2.如权利要求1所述的被引导表面波装置,其中ACP元件的所述阵列是圆柱形阵列,所述一个或多个系列的互连的RRAAD元件中的每个线性地定向在ρ方向上。
3.如权利要求1所述的被引导表面波装置,其中ACP元件的所述阵列包括RRAAD元件的第二水平层,所述第二水平层定位在分布在所述陆地介质上方所述高度处的RRAAD元件的所述水平层上方并且基本上与其平行,RRAAD元件的所述第二水平层包括:
定位在所述水平层中的所述第一多个RRAAD元件上方的第二多个RRAAD元件,所述第二多个RRAAD元件包括在所述第一朝向上延伸的一个或多个系列的互连的RRAAD元件。
4.如权利要求1所述的被引导表面波装置,其中ACP元件的所述阵列包括定位在所述陆地介质上方的第二多个RRAAD元件,所述第二多个RRAAD元件包括在相对于所述第一朝向的第二朝向上延伸的一个或多个系列的互连的RRAAD元件,其中所述第一多个RRAAD元件和所述第二多个RRAAD元件在所述陆地介质上方所述高度处形成所述水平层。
5.如权利要求4所述的被引导表面波装置,其中所述第一多个RRAAD元件的所述一个或多个系列的互连的RRAAD元件和所述第二多个RRAAD元件的所述一个或多个系列的互连的RRAAD元件的RRAAD元件与那个系列中的相邻元件隔开既定距离。
6.如权利要求4所述的被引导表面波装置,其中ACP元件的所述阵列是矩形阵列,其中所述第一多个RRAAD元件的所述一个或多个系列的互连的RRAAD元件线性地定向在x方向上并且所述第二多个RRAAD元件的所述一个或多个系列的互连的RRAAD元件线性地定向在基本上垂直于所述x方向的y方向上。
7.如权利要求1所述的被引导表面波装置,其中所述发射结构被配置为用频率(f0)的电磁场激励ACP元件的所述阵列,从而使所述电磁场与所述陆地介质的Zenneck表面波模式基本上模式匹配。
8.如权利要求1所述的被引导表面波装置,其中所述接收结构被配置为经由ACP元件的所述阵列与沿着所述陆地介质以频率(f0)传播的Zenneck表面波耦合,其中ACP元件的所述阵列被配置为将来自所述Zenneck表面波的电磁能集中在所述接收结构周围。
9.如权利要求1所述的被引导表面波装置,其中ACP元件的所述阵列的各个RRAAD元件包括并联连接的电容器和电阻器,所述电容器和电阻器包括一个或多个集总元件组件。
10.如权利要求1所述的被引导表面波装置,其中ACP元件的所述阵列包括分布在所述陆地介质上方的多个垂直无损人工各向异性电介质(VLAAD)元件,所述多个VLAAD元件定位在所述陆地介质上方,所述多个VLAAD元件包括在基本上垂直于所述水平层的第二朝向上延伸的一个或多个系列的互连的VLAAD元件。
11.如权利要求1所述的被引导表面波装置,包括分布在所述发射结构或所述接收结构周围的水平人工各向异性磁导率(HAAMP)元件的阵列,HAAMP元件的所述阵列包括定位在所述陆地介质上方的多个HAAMP元件。
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