[发明专利]具有增益提升的放大器

说明书

在某些方面中，一种放大器(605)包括：第一晶体管(415)，包括栅极、漏极和源极，其中第一晶体管(415)的栅极耦合到该放大器(605)的第一输入部(412)。该放大器(605)还包括：第二晶体管(418)，包括栅极、漏极和源极，其中第二晶体管(418)的栅极耦合到该放大器(605)的第二输入部(414)。该放大器(605)还包括耦合在该放大器(605)的第一输入部(412)与第二晶体管(418)的源极之间的第一信号路径(615)、耦合在该放大器(605)的第二输入部(414)与第一晶体管(415)的源极之间的第二信号路径(618)、耦合到第一晶体管(415)的漏极的第一负载、和耦合到第二晶体管(418)的漏极的第二负载。

优先权的声明

本专利申请要求于2019年10月17日提交并转让给本专利申请的受让人的题为“AMPLIFIER WITH GAIN BOOSTING”的申请号16/656,310的优先权，并且在此通过引用明确并入本文中。

技术领域

本公开的各方面一般涉及信号放大，并且更具体地涉及放大器。

背景技术

在一种系统中，信号可以跨通道从发射设备被发射到接收设备。该通道可以用作低通滤波器，其中该通道在高频处使信号衰减越来越大的量。频率相关衰减可以引起(尤其是在高频处)跨通道发射的信号的失真。为了解决这个问题，接收设备可以包括具有在高频处的增益提升的放大器以补偿在高频处的高信号衰减。

发明内容

下文呈现一个或多个实现的简化概述以便提供对这样的实现的基本理解。本概述不是所有预见到的实现的广泛概述并且既不旨在识别所有实现的重要或关键元件也不旨在划定任何或所有实现的范围。其唯一目的是以简化形式呈现一个或多个实现的一些概念作为对稍后呈现的更详细描述的前序。

第一方面涉及一种放大器。该放大器包括：第一晶体管，包括栅极、漏极和源极，其中第一晶体管的栅极耦合到该放大器的第一输入部。该放大器还包括：第二晶体管，包括栅极、漏极和源极，其中第二晶体管的栅极耦合到该放大器的第二输入部。该放大器还包括：第一信号路径，耦合在该放大器的第一输入部与第二晶体管的源极之间；第二信号路径，耦合在该放大器的第二输入部与第一晶体管的源极之间；第一负载，耦合到第一晶体管的漏极；以及第二负载，耦合到第二晶体管的漏极。

第二方面涉及一种系统。该系统包括：发射机；以及通道，耦合到发射机的输出部，该通道包括第一传输线路和第二传输线路。该系统还包括：放大器，具有第一输入部和第二输入部，其中第一输入部耦合到通道的第一传输线路，并且第二输入部耦合到通道的第二传输线路。该放大器包括：第一晶体管，包括栅极、漏极和源极，其中第一晶体管的栅极耦合到放大器的第一输入部。该放大器还包括；第二晶体管，其包括栅极、漏极和源极，其中第二晶体管的栅极耦合到放大器的第二输入部。该放大器还包括：第一信号路径，其耦合在放大器的第一输入部与第二晶体管的源极之间；第二信号路径，其耦合在放大器的第二输入部与第一晶体管的源极之间；第一负载，耦合到第一晶体管的漏极；以及第二负载，耦合到第二晶体管的漏极。

第三方面涉及一种用于增加放大器的增益的方法，其中放大器包括第一晶体管、第二晶体管、耦合到第一晶体管的漏极的第一负载、以及耦合到第二晶体管的漏极的第二负载。该方法包括：利用第一输入信号来驱动第一晶体管的栅极；利用第二输入信号来驱动第二晶体管的栅极；将第一输入信号耦合到第二晶体管的源极；以及将第二输入信号耦合到第一晶体管的源极。

第四方面涉及一种用于增加放大器的增益的装置，其中放大器包括第一晶体管、第二晶体管、耦合到第一晶体管的漏极的第一负载、以及耦合到第二晶体管的漏极的第二负载。该装置包括：用于利用第一输入信号来驱动第一晶体管的栅极的部件；用于利用第二输入信号来驱动第二晶体管的栅极的部件；用于将第一输入信号耦合到第二晶体管的源极的部件；以及用于将第二输入信号耦合到第一晶体管的源极的部件。

附图说明