[发明专利]导电性构件、处理盒和电子照相图像形成设备有效

专利信息
申请号: 202080073042.1 申请日: 2020-10-16
公开(公告)号: CN114556232B 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 瀬川将太;高桥宏文;伏本康宏;井上晶司 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: G03G15/02 分类号: G03G15/02;G03G21/18
代理公司: 北京魏启学律师事务所 11398 代理人: 魏启学
地址: 日本东京都大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 导电性 构件 处理 电子 照相 图像 形成 设备
【权利要求书】:

1.一种电子照相用导电性构件,其包括:

具有导电性外表面的支承体;和

在所述支承体的所述外表面上的导电层,

其特征在于,

所述导电层具有:

包含第一橡胶的交联产物的基质;和

分散在所述基质中的多个域,

所述域各自包含:

第二橡胶的交联产物;和

导电性颗粒,

所述基质的体积电阻率R1大于1.0×1012Ω·cm,

所述域各自的体积电阻率R2小于所述基质的体积电阻率R1,

所述导电层进一步具有孔,

所述孔的内壁由所述基质的一部分和所述域的一部分构成,和

构成所述内壁的所述域在所述内壁的多个部位处突出至所述孔内。

2.根据权利要求1所述的电子照相用导电性构件,其中所述域的突出至所述孔内的突出部之间的距离为20μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的电子照相用导电性构件,其中所述域各自的体积电阻率R2为1.0×101Ω·cm以上且1.0×104Ω·cm以下。

4.根据权利要求1或2所述的电子照相用导电性构件,其中所述导电层的孔隙率在30%以上至90%以下的范围内。

5.根据权利要求1或2所述的电子照相用导电性构件,其中所述导电层的彼此相邻的所述域之间的距离落在0.3μm以上且5.0μm以下的范围内。

6.根据权利要求1或2所述的电子照相用导电性构件,其中所述电子照相用导电性构件为转印构件。

7.一种电子照相图像形成设备,其特征在于,其包括根据权利要求1至5中任一项所述的电子照相用导电性构件。

8.根据权利要求7所述的电子照相图像形成设备,其中所述电子照相图像形成设备包括所述电子照相用导电性构件作为转印构件。

9.一种电子照相用处理盒,其可拆卸地安装至电子照相图像形成设备的主体,其特征在于,所述处理盒包括根据权利要求1至6中任一项所述的电子照相用导电性构件。

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