[发明专利]用于EUV光刻的底层在审
申请号: | 202080073359.5 | 申请日: | 2020-08-21 |
公开(公告)号: | CN114556528A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 梁懿宸;A·M·查克;王玉宝;D·J·格雷罗 | 申请(专利权)人: | 布鲁尔科技公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;H01L21/027;H01L21/02;C09D183/06;C08G77/14;G03F7/09 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 刘多益;项丹 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 euv 光刻 底层 | ||
提供了用作EUV硅硬掩膜层的新型光刻组合物。本发明提供了制造微电子结构的方法以及使用EUV光刻工艺而由此形成的结构。该方法包括利用光刻胶层正下方的硅硬掩膜层。硅硬掩膜层可以直接施涂于基板,也可以施涂于任何可施涂于基板的中间层。优选的硅硬掩膜层由可旋涂的聚合组合物形成。本发明的方法提高了粘附并减少或消除了图案塌陷问题。
发明背景
相关申请
本申请要求2019年8月21日提交的发明名称为“用于EUV光刻的底层”的美国临时专利申请系列号62/889,964的优先权,其通过引用全文纳入本文。
发明领域
本发明总体上涉及使用EUV(极紫外)光刻技术来制造微电子结构的方法。
相关领域描述
随着半导体工业继续遵循摩尔定律,不断减小特征尺寸的需求要求使用更薄的膜来防止图案塌陷(pattern collapse)。更薄的膜会需要使用硬掩膜将图案转印到基板上。极紫外(“EUV”)曝光有望成为单次曝光光刻实现7nm及以上节点所需的临界尺寸(“CD”)目标的首选方法。然而,EUV光刻受到许多问题的阻碍,这些问题包括低通量、随机效应和粘附问题。
由含碳层、含硅层和光刻胶组成的传统三层堆叠物往往会出现光刻胶和硅底层之间粘附性差、或硅硬掩膜(“Si-HM”)层由于为改善粘附所进行的改变而蚀刻速率低的问题。旋涂硅硬掩膜能够向光刻胶提供更好的粘附、并且具有高蚀刻速率,这将提供一种对改进光刻效果和加工时间极为友好的解决方案。
发明概述
本发明广义上涉及硅硬掩膜组合物以及在EUV工艺中使用这些组合物的方法。
在一个实施方式中,本发明提供了一种结构的形成方法。该方法包括:提供基板,该基板任选地包括其上的一个或多个中间层。在基板上或在一个或多个中间层(如果存在)上施涂组合物,以形成硅硬掩膜层。该组合物包含聚硅氧烷,该聚硅氧烷包含:
粘附促进单体,其具有选自以下一种或两种的结构:
其中:
每个R独立地选自C1~约C6烷基和氢,
n为1~约6,
每个X独立地选自环氧丙氧基、环氧、环氧环烷基、琥珀酸酐、乙酰胺和异氰脲酸酯部分;以及
一种或两种以下单体:
表面改性单体,其具有选自以下一种或两种的结构:
其中:
每个R1独立地选自C1~约C6烷基和C6~约C20芳基,
每个R2独立地选自C1~约C6烷基和氢,
每个R3独立地选自C1~约C6烷基和氢,
m为1~约6,
每个Y独立地选自乙酰氧基、酯和芳基部分,以及
致密化单体,其具有选自以下一种、两种或三种的结构:
其中每个R4独立地选自C1~约C6烷基和氢。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于布鲁尔科技公司,未经布鲁尔科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080073359.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:车辆用操作踏板装置
- 下一篇:环糊精作为放射稳定剂的用途
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造