[发明专利]基片清洗装置和基片清洗方法

说明书

本发明能够防止从基片除去的颗粒再次附着于基片。本发明的基片清洗装置包括：保持基片的基片保持部；气体喷嘴，其对基片保持部上的基片喷射清洗气体；和以包围气体喷嘴的方式设置的喷嘴罩。从气体喷嘴对喷嘴罩的减压室内喷射清洗气体，在减压室内生成除去基片上的颗粒的气体团簇。气幕用气体被从喷嘴罩的端部喷射向基片侧，在喷嘴罩的端部与基片之间形成气幕。

技术领域

本发明涉及基片清洗装置和基片清洗方法。

背景技术

在半导体制造装置中，制造工序中颗粒对基片的附着是大幅影响产品的成品率的因素之一。为此，在对基片进行处理之前或之后对基片进行清洗，但人们希望开发能够抑制对基片的损伤且以简易方法可靠地除去颗粒的清洗技术。人们对施加颗粒与基片之间的附着力以上的物理剪切力而从基片的表面剥离颗粒的各种清洗技术进行了研究、开发，作为其中之一，能够举出利用气体团簇(gas cluster)的物理剪切力的技术。

气体团簇是将高压的气体向由减压室等形成的真空中喷出，通过绝热膨胀将气体冷却至冷凝温度，由此多个原子或分子聚集而成的块(团簇)。在基片清洗时，使该气体团簇直接或适当加速地照射于基片而除去颗粒。

另外，现有技术中开发了一种有效地除去附着于基片表面的图案内的颗粒的技术(参照专利文献1)。

在这样的情况下，只要能够防止从基片除去的颗粒被扬起而再次附着于基片，就能够更有效地清洗基片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-175681号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明是考虑到上述内容而完成的，提供能够防止从基片除去的颗粒再次附着于基片的基片清洗装置和基片清洗方法。

用于解决技术问题的技术方案

本发明为基片清洗装置，其包括：保持基片的基片保持部；喷嘴罩，具有在其与所述基片之间形成减压气氛的减压室；和气体喷嘴，其喷射比所述减压室的压力高的清洗气体，生成在所述减压室内清洗所述基片的气体团簇，在所述喷嘴罩中的所述基片侧的端部设置有对所述基片喷出气幕用气体而形成气幕的气幕形成部。

发明效果

依照本发明，能够防止从基片除去的颗粒再次附着于基片。

附图说明

图1是表示本实施方式的基片清洗装置的侧视图。

图2是表示图1所示的基片清洗装置的气体喷嘴和喷嘴罩的侧视图。

图3是表示基片清洗装置的作用的侧视图。

图4是表示图3所示的基片清洗装置的气体喷嘴和喷嘴罩的侧视图。

图5是表示基片置于水平方向上的状态的基片清洗装置的图。

图6是表示基片置于垂直方向上的状态的基片清洗装置的图。

图7的(a)～(d)是表示利用气体团簇除去颗粒的情形的侧视图。

图8的(a)～(d)是表示利用气体团簇除去颗粒的情形的侧视图。

图9是表示晶片的表面的俯视图。

图10是表示组装有基片清洗装置的真空处理装置的整体的图。

图11是表示基片保持部的变形例的图。

具体实施方式

本实施方式