[发明专利]垂直场效应晶体管和用于其构造的方法

权利要求书

1.一种垂直场效应晶体管(200)，其具有：

具有第一导电性类型的漂移区域(212)；

在所述漂移区域(212)上或者在所述漂移区域(212)上方的半导体鳍片(302)；

在所述漂移区域(212)上或者在所述漂移区域(212)上方的源电极/漏电极(202)；和

屏蔽结构(214)，所述屏蔽结构在所述半导体鳍片(302)的至少一个侧壁旁边横向地布置在所述漂移区域(212)中，其中，所述屏蔽结构(214)具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型；其中，所述半导体鳍片(302)与所述源电极/漏电极(202)能导电地连接。

2.根据权利要求1所述的垂直场效应晶体管(200)，

其中，所述源电极/漏电极(202)横向地构造在所述半导体鳍片的至少一个侧壁旁边并且与所述屏蔽结构(214)能导电地连接。

3.根据权利要求1或2所述的垂直场效应晶体管(200)，所述垂直场效应晶体管还具有：

栅电极(210)，所述栅电极构造在所述半导体鳍片(302)的至少一个侧壁旁边。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的垂直场效应晶体管(200)，

其中，所述漂移区域(212)是n型导电的，其中，所述屏蔽结构(214)具有至少一个p型导电的区域。

5.根据以上权利要求中任一项所述的垂直场效应晶体管(200)，

其中，所述屏蔽结构(214)具有布置在所述漂移区域(212)中的区域，所述区域朝向所述半导体鳍片(302)地横向地延伸。

6.根据以上权利要求中任一项所述的垂直场效应晶体管(200)，

其中，所述屏蔽结构(214)完全地由所述漂移区域(212)包围。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的垂直场效应晶体管(200)，其中，所述屏蔽结构(214)具有至少一个没有所述漂移区域(212)的区域。

8.根据以上权利要求中任一项所述的垂直场效应晶体管(200)，其中，所述屏蔽结构(214)具有至少一个第一屏蔽结构(214)和第二屏蔽结构(214)，所述第一屏蔽结构和所述第二屏蔽结构直接相邻，并且，此外，至少一个第二半导体鳍片(302)在所述半导体鳍片(302)旁边横向地构造在所述漂移区域(212)上或者所述漂移区域(212)上方，其中，所述半导体鳍片(302)和所述至少一个第二半导体鳍片(302)横向地布置在所述第一屏蔽结构(214)和所述第二屏蔽结构(214)之间。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的垂直场效应晶体管(200)，其中，所述屏蔽结构(214)具有至少一个第一屏蔽结构(214)和第二屏蔽结构(214)，其中，与所述第二屏蔽结构(214)相比，所述第一屏蔽结构(214)相对于所述半导体鳍片(302)垂直地更远地延伸到所述漂移区域(212)中或者垂直地更远地与所述半导体鳍片(302)间隔开。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的垂直场效应晶体管(200)，所述垂直场效应晶体管还具有至少一个附加的区域(312)，所述至少一个附加的区域(312)具有所述第一导电性类型并且横向地构造在所述屏蔽结构(214)旁边。