[发明专利]气相成长装置及气相成长方法

权利要求书

1.一种气相成长装置，利用支承晶圆的外周部的环状的载具，具备用于在前述晶圆处形成CVD膜的反应室，其特征在于，

在前述反应室，设置有基座和载具升降销，前述基座搭载载具，前述载具支承有前述晶圆，前述载具升降销使支承有前述晶圆的载具相对于前述基座相对地上下移动，

前述载具升降销在俯视观察将支承有前述晶圆的载具搭载于前述基座的状态的情况下，被比前述晶圆的外缘靠外侧地设置。

2.如权利要求1所述的气相成长装置，其特征在于，

前述载具升降销在俯视观察将支承有前述晶圆的载具搭载于前述基座的状态的情况下，设置成前述载具升降销的中心位于比前述晶圆的外缘靠外侧7mm以上位置。

3.如权利要求1或2所述的气相成长装置，其特征在于，

前述CVD膜是硅外延膜。

4.如权利要求1至3中任一项所述的气相成长装置，其特征在于，

将多个处理前的前述晶圆从晶圆收纳容器经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向在前述晶圆处形成前述CVD膜的前述反应室顺次搬运，

并且将多个处理后的前述晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室及前述工厂接口向前述晶圆收纳容器顺次搬运，

前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通，并且经由第2门与前述晶圆移载室连通，

前述晶圆移载室经由闸门阀与前述反应室连通，

在前述晶圆移载室处设置有第1机器人，前述第1机器人将被搬运至前述装载锁定室的处理前的前述晶圆以支承于载具的状态投入前述反应室，并且，将在前述反应室处结束处理的处理后的前述晶圆以支承于载具的状态从前述反应室取出来搬运至前述装载锁定室，

在前述工厂接口处设置有第2机器人，前述第2机器人将处理前的前述晶圆从前述晶圆收纳容器取出，借助在前述装载锁定室待机的载具支承，并且将被搬运至前述装载锁定室的支承于载具的处理后的前述晶圆收纳至前述晶圆收纳容器，

在前述装载锁定室处设置有支承载具的架。

5.一种气相成长方法，使用支承晶圆的外周部的环状的载具，在反应室在前述晶圆处形成CVD膜，其特征在于，

在前述反应室，设置有基座和载具升降销，前述基座搭载载具，前述载具支承有前述晶圆，前述载具升降销使支承有前述晶圆的载具相对于前述基座相对地上下移动，

前述载具升降销在俯视观察将支承有前述晶圆的载具搭载于前述基座的状态的情况下，被比前述晶圆的外缘靠外侧地设置。

6.如权利要求5所述的气相成长方法，其特征在于，

前述CVD膜是硅外延膜。

7.如权利要求5或6所述的气相成长方法，其特征在于，

将多个处理前的前述晶圆从晶圆收纳容器经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向在前述晶圆处形成前述CVD膜的前述反应室顺次搬运，

并且，将多个处理后的前述晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室及前述工厂接口向前述晶圆收纳容器顺次搬运。