[发明专利]氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法

说明书

本发明提供一种氧化物溅射靶，其由氧化物构成，该氧化物含有锆、硅及铟作为金属成分，氧化锆相(11)的最大粒径为10μm以下。

技术领域

本发明涉及一种由含有锆、硅及铟作为金属成分的氧化物构成的氧化物溅射靶及该氧化物溅射靶的制造方法。

本申请基于2019年12月2日在日本申请的专利申请2019-217933号主张优先权，在此引用其内容。

背景技术

含有锆、硅及铟作为金属成分的氧化物膜的电阻高，例如在液晶显示器、有机EL(Electro Luminescence，电致发光)显示器及触摸面板等显示面板中，用作为了防止由液晶元件、有机EL元件等的带电而引起的故障的屏蔽层。

在此，在上述屏蔽层适用于内嵌型触摸面板的情况下，对上述屏蔽层也要求发挥一边排除来自外部的噪声，一边使触摸信号到达面板内部的传感器部分的作用。此外，在该屏蔽层中，为了确保显示面板的可视性，也要求可见光的透射性高。

并且，上述含有锆、硅和铟作为金属成分的氧化物膜还作为用作信息记录介质的相变型光盘的介电质层或保护膜而被利用。

在此，在专利文献1～4中提出有一种在形成含有锆、硅及铟作为金属成分的氧化物膜时使用的氧化物溅射靶。

最近，要求大面积且高生产效率地形成含有锆、硅和铟作为金属成分的氧化物膜。因此，需要应对溅射靶的大型化、以及溅射成膜时的高输出功率化。

然而，在含有锆、硅及铟作为金属成分的氧化物溅射靶中，当以高输出功率进行了溅射成膜时容易产生裂纹，有时无法稳定地进行溅射成膜。尤其，在大型溅射靶中，有容易产生裂纹的倾向。

专利文献1：日本特开2013-142194号公报

专利文献2：日本特开2007-327103号公报

专利文献3：日本特开2009-062585号公报

专利文献4：日本特开2018-040032号公报

发明内容

本发明是鉴于前述情况而完成的，其目的在于提供一种氧化物溅射靶及该氧化物溅射靶的制造方法，该氧化物溅射靶即使在以高输出功率进行了溅射成膜的情况下，也能够抑制裂纹的产生，并可以稳定且高生产效率地进行溅射成膜。

为了解决上述课题，本发明人进行了深入研究的结果，确认到在含有锆、硅及铟作为金属成分的氧化物溅射靶中存在氧化锆相，该氧化锆相在1000℃附近发生相变，由于此时的体积变化而产生裂纹。

并且，可知作为氧化物溅射靶的原料的氧化锆粉末若与氧化铟粉末及氧化硅粉末一同粉碎混合，则氧化锆粉末的粒径大于氧化铟粉末及氧化硅粉末，形成粗大的氧化锆相，从而成为裂纹产生的原因。

本发明是基于上述见解而完成的，本发明的一种实施方式所涉及的氧化物溅射靶是由含有锆、硅和铟作为金属成分的氧化物构成的氧化物溅射靶，其特征为氧化锆相的最大粒径为10μm以下。

根据本发明的一方式所涉及的氧化物溅射靶，由于是含有锆、硅及铟作为金属成分的氧化物，因此可以形成电阻高且可见光的透射性优异的氧化物膜。

并且，由于氧化锆相的最大粒径被限制在10μm以下，因此当以高输出功率进行了溅射成膜时，即使氧化锆相发生相变而体积变化，也能够抑制裂纹的产生。并且，即使在使溅射靶大型化的情况下，也能够抑制溅射时裂纹的产生。因此可以稳定且高生产效率地进行溅射成膜。

在此，在本发明的一方式所涉及的氧化物溅射靶中，在将氧化锆相的平均粒径设为D_ZrO，将其他氧化物相的平均粒径设为D_MO的情况下，优选满足0.6≤D_MO/D_ZrO≤1.8。