[发明专利]改善含镓发光器件性能的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在衬底上生长一个或多个含镓半导体层；

在器件制造期间干法蚀刻所述含镓半导体层；

在所述干法蚀刻之后，执行一个或多个表面处理以从所述器件的侧壁去除损伤或改变表面化学性质；以及

在所述表面处理之后，在所述器件的侧壁上沉积一个或多个电介质材料，以钝化器件的侧壁。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含镓半导体层包括一个或多个氮、磷或砷原子作为抗衡原子。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述执行和沉积步骤导致所述器件的正向电流-电压特性的改善和泄漏电流的降低。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述执行和沉积步骤导致所述器件的光输出功率和效率的增强。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述器件具有大于0.04μm^-1的侧壁周长与发光面积之比。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述器件具有小于80μm的长度的一个或多个边缘。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述表面处理包括基于热的或基于等离子体的氮化、氧化或其他表面化学改性技术。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述表面处理在25℃以上的温度处进行。

9.根据权利要求7所述的方法，其中等离子体的源可以来自气体、金属有机物或其他挥发性化学物质。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述表面处理在低功率水平处进行，以避免物理沉积和对所述器件的损伤。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述电介质沉积在覆盖所述侧壁方面是保形的或均匀的。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述电介质通过原子层沉积、溅射、等离子体增强化学气相沉积或其他化学气相沉积来沉积。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括后电介质沉积以改善材料质量以及所述电介质材料和所述侧壁之间的界面，诸如退火。

14.根据权利要求1所述的方法，其中在所述表面处理和电介质沉积之前，去除所述器件的表面的材料。

15.一种器件，所述器件由权利要求1所述的方法制造。

16.一种器件，包括：

生长在衬底上的一个或多个含镓半导体层；

其中所述含镓半导体层是干法蚀刻的含镓半导体层；

其中所述干法蚀刻的含镓半导体层的侧壁是表面处理的侧壁，以去除所述侧壁的损伤或改变所述侧壁的表面化学性质；以及

其中一个或多个电介质材料沉积在所述表面处理的侧壁上，以钝化所述表面处理的侧壁。

17.一种方法，包括：

在一个或多个干法蚀刻的含镓半导体层的一个或多个侧壁上执行一个或多个表面处理，以去除所述侧壁的损伤或改变所述侧壁的表面化学性质；以及

在所述表面处理钝化所述侧壁之后，在所述侧壁上沉积电介质材料；

其中所述执行和沉积步骤导致所得器件的正向电流-电压特性的改善和泄漏电流的降低，以及所述所得器件的光输出功率和效率的提高。