[发明专利]用于杜兰桥量子约瑟夫森结器件的生产价值制造的集群工具

权利要求书

1.一种沉积系统，包括：

沉积源；

扫描台，所述扫描台设置在所述沉积源的沉积路径内，所述扫描台包括支撑平台和机械致动器，所述支撑平台配置为在其上支撑晶片，所述机械致动器耦合至所述支撑平台，所述机械致动器配置为相对于所述沉积源平移所述支撑平台；

接近掩模，所述接近掩模设置在所述沉积源与所述扫描台之间的所述沉积源的所述沉积路径内，所述接近掩模界定缝隙；以及

控制器，所述控制器与所述扫描台通信，所述控制器被配置为控制所述机械致动器以相对于所述缝隙平移所述晶片，使得沉积角度保持基本上恒定，

其中，在操作中，所述接近掩模防止具有不与所述缝隙对准的轨迹的沉积源材料与所述晶片接触。

2.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述沉积源跨越所述缝隙的长度。

3.根据前述权利要求中任一项所述的沉积系统，其中，所述缝隙的长度是可调节的。

4.根据前述权利要求中任一项所述的沉积系统，其中，所述缝隙具有小于所述接近掩模的长度的长度。

5.根据前述权利要求中任一项所述的沉积系统，其中，所述沉积角度是可选择的，所述沉积系统进一步包括接近掩模夹具，所述接近掩模夹具被配置为相对于所述沉积源能释放地固定所述接近掩模的位置以使得能够选择所述沉积角度。

6.根据前述权利要求中任一项所述的沉积系统，其中，所述支撑平台相对于所述沉积路径的角度是可选择的。

7.根据前述权利要求中任一项所述的沉积系统，其中，所述机械致动器被配置为在平行于所述晶片的沉积表面的方向上平移所述支撑平台。

8.根据前述权利要求中任一项所述的沉积系统，其中，所述机械致动器被配置为在相对于所述晶片的沉积表面以倾斜角度的方向平移所述支撑平台。

9.根据前述权利要求中任一项所述的沉积系统，其中，所述沉积源是金属蒸发源。

10.根据前述权利要求中任一项所述的沉积系统，进一步包括被配置为照射所述沉积源的激光器，

其中，所述沉积系统被配置为通过脉冲激光沉积来沉积沉积源材料。

11.根据前述权利要求中任一项所述的沉积系统，进一步包括气体入口和气体出口，所述气体入口和气体出口被配置为将气体引入设置有所述沉积系统的腔室中并且从所述腔室中去除气体，

其中，所述沉积系统被配置为通过溅射沉积来沉积源材料。

12.根据前述权利要求中任一项所述的沉积系统，进一步包括沉积腔室，

其中，所述沉积源、所述扫描台和所述接近掩模设置在所述沉积腔室中。

13.一种群集工具，所述群集工具包括多个可选择的制造工具，所述多个可选择的制造工具包括：

沉积系统，包括：

沉积源；

扫描台，所述扫描台设置在所述沉积源的沉积路径内，所述扫描台包括支撑平台和机械致动器，所述支撑平台配置为在其上支撑晶片，所述机械致动器耦合至所述支撑平台，所述机械致动器配置为相对于所述沉积源平移所述支撑平台；

接近掩模，所述接近掩模设置在所述沉积源与所述扫描台之间的所述沉积源的所述沉积路径内，所述接近掩模界定缝隙；以及

控制器，所述控制器与所述扫描台通信，所述控制器被配置为控制所述机械致动器以相对于所述缝隙平移所述晶片，使得沉积角度保持基本上恒定，

其中，在操作中，所述接近掩模防止具有不与所述缝隙对准的轨迹的沉积源材料与所述晶片接触；以及

包括介电源的介电系统，所述介电源被配置为在所述晶片上形成介电层。