[发明专利]防反射结构体及其制造方法在审
申请号: | 202080077166.7 | 申请日: | 2020-12-16 |
公开(公告)号: | CN114641709A | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 栗原一真;穂苅辽平;福井博章 | 申请(专利权)人: | 国立研究开发法人产业技术综合研究所;东亚电气工业株式会社 |
主分类号: | G02B1/118 | 分类号: | G02B1/118;B32B3/30;B32B7/023;B32B9/00;C03C17/245;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/34 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 褚瑶杨;庞东成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种防反射结构体,该防反射结构体在透明的基材B的表面部S和从各孔Hn的底部起的上部方向的空间部Cn配置有金属氧化物膜,该透明的基材B形成有多个与平坦的表面垂直的方向的截面形状为U字状或V字状的孔Hn,关于该各孔Hn的形状,开口部的平均直径m为50nm~300nm,与相邻的开口部之间的各中心点的平均间隔k为100nm~400nm,并且,以表面部S为基准的各孔Hn的深度dn为80nm~250nm的范围,
该防反射结构体的特征在于,
配置于各空间部Cn的金属氧化物膜的厚度tn随着各孔Hn的深度dn变深而增加,
由此,从配置于所述表面部S的金属氧化物膜的最表面部Sm至配置于各空间部Cn内的金属氧化物膜的表面部的各孔Hn间的深度fn之差减少。
2.如权利要求1所述的防反射结构体,其中,配置于所述基材B的表面部S的金属氧化物膜为薄膜,
配置于从所述各孔Hn的底部起的上部方向的空间部Cn的金属氧化物膜为纤维状的柱状膜。
3.如权利要求1或2所述的防反射结构体,其中,所述基材B的平坦的表面部S的“算术平均粗糙度Ra”为50nm以下,该表面部S中的开口部的面积比例即开口率r为50面积%~80面积%。
4.如权利要求1~3中任一项所述的防反射结构体,其中,配置于所述基材B的表面部S的金属氧化物膜的厚度p为20nm~60nm。
5.如权利要求1~4中任一项所述的防反射结构体,其中,配置于所述基材B的表面部S的金属氧化物膜的厚度p为20nm~40nm,
关于从所述基材B的最表面部Sm至配置于从各孔Hn的底部起的上部方向的空间部Cn内的金属氧化物膜的表面部的各孔Hn的单位为nm的深度fn,
将以表面部S为基准的各孔Hn的单位为nm的深度表示为dn,将配置于表面部S的金属氧化物膜的厚度表示为p时,为下述式(i)所示的范围,
fn=[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×0.90~[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×1.10···(i)。
6.如权利要求1~4中任一项所述的防反射结构体,其中,配置于所述基材B的表面部S的金属氧化物膜的厚度p为20nm~40nm,
关于从所述基材B的最表面部Sm至配置于从各孔Hn的底部起的上部方向的空间部Cn内的金属氧化物膜的表面部的各孔Hn的单位为nm的深度fn,
将以表面部S为基准的各孔Hn的单位为nm的深度表示为dn,将配置于表面部S的金属氧化物膜的厚度表示为p时,为下述式(ii)所示的范围,
fn=[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×0.95~[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×1.05···(ii)。
7.如权利要求1~6中任一项所述的防反射结构体,其中,形成所述金属氧化物膜的金属氧化物为氧化硅、氧化铝、氧化钛以及氧化锆中的任一种。
8.如权利要求1~7中任一项所述的防反射结构体,其中,配置于所述表面部S的金属氧化物膜以及配置于从各孔Hn的底部起的上部方向的空间部Cn的金属氧化物膜为通过具有等离子体源的真空成膜装置形成的膜。
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