[发明专利]用于清洁光刻设备的部分的系统

说明书

所描述的系统包括清洁工具。所述清洁工具被配置为以第一配置插入光刻设备中，由所述光刻设备的工具处置器接合，并且用于清洁所述光刻设备的部分。所述清洁工具被配置为在由所述工具处置器接合之后从所述第一配置移动至扩展的第二配置，使得所述清洁工具在用于清洁所述光刻设备的所述部分时处于所述第二配置。所述系统包括容器，所述容器被配置为容纳处于所述第一配置的所述清洁工具并且装配至所述光刻设备中。所述清洁工具被配置为在所述容器中插入所述光刻设备中，由所述工具处置器从所述容器移出以用于所述清洁，并且在所述清洁之后借助于所述工具处置器返回至所述容器。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年11月7日递交的美国临时专利申请第62/931,864号的优先权，上述美国临时专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本文中的描述总体上涉及用于清洁光刻设备的部分的系统和方法。

背景技术

光刻(例如，投影)设备可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，图案形成装置(例如，掩模)可以包含或提供对应于IC(“设计布局”)的单独层的图案，并且可以通过诸如经由图案形成装置上的图案来照射已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或更多个管芯)的方法将此图案转移至该目标部分上。通常，单个衬底包含多个相邻的目标部分，图案由光刻投影设备以一次一个目标部分的方式连续转移至所述多个相邻的目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，在一个操作中将整个图案形成装置上的图案转移至一个目标部分上。这种设备通常被称作步进器。在通常被称作步进扫描设备的替代设备中，投影束在给定参考方向(“扫描”方向)上在整个图案形成装置上进行扫描，同时平行或反向平行于此参考方向同步地移动衬底。图案形成装置上的图案的不同部分被逐渐地转移至一个目标部分。通常，由于光刻投影设备将具有缩减比率M(例如，4)，所以衬底被移动的速度F将为投影束扫描图案形成装置的速度的1/M倍。可以例如从以引用的方式并入本文中的US 6,046,792搜集到关于如本文中描述的光刻装置的更多信息。

在将图案从图案形成装置转移至衬底之前，衬底可以经历各种工序，诸如，涂底料、抗蚀剂涂覆和软烘烤。在曝光之后，衬底可以经受其他工序(“曝光后工序”)，诸如曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤以及经转移图案的测量/检查。这一系列工序用作制造器件(例如，IC)的单独的层的基础。然后，衬底可以经历各种过程，诸如，蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械研磨等，这些过程都意图完成器件的单独的层。如果在器件中需要若干层，则针对每一层来重复整个工序或其变型。最终，在衬底上的每个目标部分中将存在器件。然后，通过诸如划片或锯切的技术来使这些器件彼此分离，据此，可以将单独的器件安装于载体上、连接至引脚等。

制造诸如半导体器件的器件通常涉及使用若干制作过程来处理衬底(例如，半导体晶片)以形成所述器件的各种特征和多个层。通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械研磨、离子注入和/或其他过程来制造和处理此类层和特征。可以在衬底上的多个管芯上制作多个器件，并且然后将该多个器件分离成单独的器件。此器件制造过程可以被认为是图案形成过程。图案形成过程涉及使用光刻设备中的图案形成装置进行图案化步骤，诸如光学和/或纳米压印光刻，以将图案形成装置上的图案转移至衬底，并且图案形成过程通常但可选地涉及一个或更多个相关图案处理步骤，诸如通过显影装置进行抗蚀剂显影、使用烘烤工具来烘烤衬底、使用蚀刻装置而使用图案进行蚀刻等。通常在图案形成过程中涉及一个或更多个量测过程。

光刻是在诸如IC的器件的制造时的中心步骤，其中，形成于衬底上的图案定义器件的功能部件，诸如微处理器、存储器芯片等。相似的光刻技术也用于形成平板显示器、微机电系统(MEMS)和其他器件。