[发明专利]用于原子层沉积和类似方法的吡唑钌前驱体

权利要求书

1.包含钌的ALD或类似ALD前驱体，其由式I表示：

其中

R₁、R₂、R₃和R₄各自独立地选自以下基团：经取代或未经取代的C₁至C₂₀直链或支链或环状烷基和经取代或未经取代的C₁至C₂₀直链或支链或环状卤化烷基；

n＝2或3；且

所述前驱体优选地基本上不含水、金属离子或金属，和有机杂质。

2.根据权利要求1所述的前驱体，其中R₁、R₂、R₃和R₄各自独立地为以下中的一个：-CH₃、-CH₂CH₃、-CH₂CH₂CH₃、-CH(CH₃)₂、-CH₂CH(CH₃)₂、-C(CH₃)₃、-CF₃、-CF₂CF₃、-CF₂CF₂CF₃、-CF(CF₃)₂、-C(CF₃)₃。

3.根据权利要求1所述的前驱体，其中R₁、R₂、R₃和R₄中的至少一个为经取代或未经取代的C₁至C₈全氟化烷基。

4.根据权利要求1所述的前驱体，其中n＝2。

5.根据权利要求1所述的前驱体，其中n＝3。

6.根据权利要求1的前驱体，其中R₁、R₂、R₃和R₄中的每一个为相同基团。

7.根据权利要求1所述的前驱体，其中R₁和R₄或R₂和R₃中的每一个为相同基团。

8.根据权利要求1所述的前驱体，其具有以下结构：

9.根据权利要求1所述的前驱体，其具有以下结构：

10.根据权利要求1所述的前驱体，其具有以下结构：

11.根据权利要求1所述的前驱体，其具有以下结构：

12.根据权利要求1所述的前驱体，其具有以下结构：

13.ALD或类似ALD方法，其包括以下步骤：

将衍生自根据权利要求1至12中任一项所述的前驱体的含钌层沉积于基底的表面上。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述表面包含以下中的至少一种：Al₂O₃、ZrO₂、HfO₂、SiO₂、WN、WCN、TiN、Cu、Co、Mo、W及其组合。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述ALD或类似ALD方法是在低于约300℃的温度下进行的。