[发明专利]硅单晶的制造方法在审
| 申请号： | 202080078286.9 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN114616361A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 松村尚 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅单晶 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.硅单晶的制造方法，其特征在于：其是使用具有不透明外层和透明内层的石英玻璃坩埚，通过直拉法从收纳在上述石英玻璃坩埚内的硅熔液中提拉硅单晶的硅单晶制造方法，
其中，使用上述透明内层的厚度t与上述石英玻璃坩埚的侧壁厚度T的比率t/T从石英玻璃坩埚侧壁的上部到下部进行了调整的石英玻璃坩埚，
所提拉的硅单晶的晶体生长轴方向的氧浓度的偏差为20%以内。
2.权利要求1所述的硅单晶的制造方法，其特征在于：将上述石英玻璃坩埚从石英玻璃坩埚侧壁的上部向下部划分为多个区域，对上述多个区域的每一个区域调整上述透明内层的厚度t与石英玻璃坩埚的侧壁厚度T的比率t/T。
3.权利要求1或2所述的硅单晶的制造方法，其特征在于：上述透明内层的厚度t与上述石英玻璃坩埚的侧壁厚度T的比率t/T为大于0.05且小于0.8的范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于环球晶圆日本股份有限公司，未经环球晶圆日本股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080078286.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：血管内线圈及其制造方法
- 下一篇：能量管理系统和方法
