[发明专利]半导体器件、电路以及无线通信设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

沟道层，包含GaN基材料；

阻挡层，包含In的组成比高于18％的AlInN基材料，所述阻挡层设置在所述沟道层上；以及

至少一个接触层，包含导电型半导体材料，并且被设置为穿透所述阻挡层并到达所述沟道层。

2.一种半导体器件，包括：

沟道层，包含GaN基材料；

分隔层，包含AlN基材料并设置在所述沟道层上；

阻挡层，包含In的组成比高于18％的AlInN基材料，所述阻挡层设置在所述分隔层上；以及

至少一个接触层，包含导电型半导体材料，并且被设置为穿透所述阻挡层以及所述分隔层并到达所述沟道层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触层设置在栅电极的两个相应侧上，所述栅电极插置在所述接触层之间，所述栅电极设置在所述阻挡层上，所述栅电极和所述阻挡层之间插置有介电膜。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，设置有插置在所述接触层之间的所述栅电极的所述接触层中的一个接触层电耦合到源电极，并且设置有插置在所述接触层之间的所述栅电极的所述接触层中的另一个接触层电耦合到漏电极。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述栅电极与所述源电极或所述漏电极之间的薄层电阻为280Ω/平方或更小。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述栅电极与所述源电极或所述漏电极之间的薄层载流子浓度为1.3×10¹³cm²或更高。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触层与设置在所述沟道层与所述阻挡层之间的界面处的沟道之间的接触电阻为0.1Ω·mm或更小。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触层包含n型GaN基材料作为所述导电型半导体材料。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述n型GaN基材料包含2×10²⁰cm^-3或更多的n型杂质。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触层的载流子浓度为8×10¹⁹cm^-3或更高。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡层中的In的所述组成比为20％或更低。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触层被设置为与在所述沟道层与所述阻挡层之间的界面接触。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述接触层设置在距所述阻挡层的表面在100nm内的深度的区域中，所述表面为所述阻挡层的设置有所述沟道层的一侧的相反侧的表面。

14.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述接触层被设置为与所述沟道层与所述分隔层之间的界面接触。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述接触层设置在距所述阻挡层的表面在100nm内的深度的区域中，所述表面为所述阻挡层的设置有所述分隔层的一侧的相反侧的表面。

16.一种电路，包括：

半导体器件，包括：

包含GaN基材料的沟道层；

阻挡层，包含In的组成比高于18％的AlInN基材料，所述阻挡层设置在所述沟道层上；以及

至少一个接触层，包含导电型半导体材料并且被设置为穿透所述阻挡层并到达所述沟道层。

17.一种无线通信设备，包括：

半导体器件，包括：

包含GaN基材料的沟道层；

阻挡层，包含In的组成比高于18％的AlInN基材料，所述阻挡层设置在所述沟道层上；以及

至少一个接触层，包含导电型半导体材料并且被设置为穿透所述阻挡层并到达所述沟道层。