[发明专利]半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，

具备：

基板；

n型包层，配置在上述基板的上方；

活性层，配置在上述n型包层的上方；以及

p型包层，配置在上述活性层的上方；

上述活性层具有：

阱层；

n侧第一势垒层，配置在上述阱层的上述n型包层侧；以及

p侧势垒层，配置在上述阱层的上述p型包层侧；

上述p侧势垒层包含In；

上述n侧第一势垒层的In组份比低于上述p侧势垒层的In组份比；

上述n侧第一势垒层的带隙能量小于上述p侧势垒层的带隙能量。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

上述n侧第一势垒层的组份由Al_ybn1Ga_1-xbn1-ybn1In_xbn1As表示；

上述p侧势垒层的组份由Al_ybp1Ga_1-xbp1-ybp1In_xbp1As表示；

0≦ybn1≦1、0≦xbn11、0ybp11、0xbp11以及xbn1xbp1的关系成立。

3.如权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，

进而ybn1ybp1的关系成立。

4.如权利要求2或3所述的半导体发光元件，其特征在于，

进而，

0.2≦ybn1≦0.4

ybp1≦xbp1+0.975ybn1+0.069，

ybp1≧0.4xbp1+0.975ybn1+0.029，以及

xbp1≦0.15的关系成立。

5.如权利要求2～4中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

还具备配置在上述阱层与上述p侧势垒层之间的p侧中间层；

上述p侧中间层的组份由Al_ykp1Ga_1-ykp1As表示；

ybp1≦xbp1+0.975ykp1+0.069，

ybp1≧0.4xbp1+0.975ykp1+0.029，以及

0.2≦ykp1≦0.4的关系成立。

6.如权利要求2～5中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

还具备配置在上述n侧第一势垒层与上述阱层之间的n侧第二势垒层；

上述n侧第二势垒层的组份由Al_ybn2Ga_1-xbn2-ybn2In_xbn2As表示；

ybn2≧xbn2+ybn1，

ybn2≦0.4xbn2+0.975ybn1+0.061，

xbn2≦0.15，以及

0.2≦ybn1≦0.35的关系成立。

7.如权利要求6所述的半导体发光元件，其特征在于，

还具备配置在上述阱层与上述n侧第二势垒层之间的n侧第三势垒层；

上述n侧第三势垒层的组份由Al_ybn3Ga_1-ybn3As表示；

ybn2≧xbn2+ybn3，

ybn2≦0.4xbn2+0.975ybn3+0.061，以及

0.2≦ybn3≦0.35的关系成立。

8.如权利要求2～7中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

还具备配置在上述p侧势垒层与上述p型包层之间、折射率比上述p型包层大的p侧导引层。