[发明专利]固态成像装置和电子装置在审
申请号: | 202080079978.5 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN114730781A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 西田庆次 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 瓮芳;陈桂香 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子 | ||
1.一种固态成像装置,其包括:
多个光电转换单元,所述多个光电转换单元形成在基板上且根据入射光的光量而产生信号电荷;
微透镜阵列,所述微透镜阵列包括微透镜,所述微透镜针对包括相邻的至少两个以上的所述光电转换单元的光电转换单元组而形成且将入射光引导至所述光电转换单元组;
散射体,所述散射体布置在由所述微透镜会聚的所述入射光的光路上;和
像素间遮光部,所述像素间遮光部包括沟槽和填充在所述沟槽中的绝缘材料,所述沟槽形成在所述光电转换单元组的所述光电转换单元和与该光电转换单元组相邻的所述光电转换单元之间,其中
所述沟槽的所述散射体侧的内侧面的开口侧是以沟槽宽度朝向所述沟槽的底部变窄的方式倾斜的平面或弯曲的曲面。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
所述沟槽的所述散射体侧的所述内侧面的底部侧是以所述沟槽宽度恒定的方式从所述基板的光接收面侧沿着深度方向延伸而形成的平面。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
所述散射体包括散射体沟槽和填充在所述散射体沟槽中的散射体绝缘材料,所述散射体沟槽形成在所述光电转换单元组中的所述光电转换单元之间,且
所述散射体沟槽的两个内侧面是以沟槽宽度恒定的方式从所述基板的光接收面侧沿着深度方向延伸而形成的平面。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
所述散射体包括散射体沟槽和填充在所述散射体沟槽中的散射体绝缘材料,所述散射体沟槽形成在所述光电转换单元组中的所述光电转换单元之间,且
所述散射体沟槽具有与所述沟槽相同的形状。
5.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
所述散射体布置在所述微透镜和所述基板之间,且
在所述光电转换单元组中的所述光电转换单元之间形成有杂质层。
6.根据权利要求3所述的固态成像装置,其中
所述沟槽中的所述绝缘材料的折射率低于所述散射体绝缘材料的折射率。
7.根据权利要求3所述的固态成像装置,其中
所述散射体绝缘材料是氧化钛、氮化硅、氧化锆、氧化铪、氧化钽、氧化锌和折射率高于氧化硅的折射率的高折射率树脂中的任一者。
8.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
所述沟槽的所述散射体侧的所述内侧面的开口侧是相对于所述基板的厚度方向以等于或大于临界角的角度倾斜的平面,所述临界角是当光从所述光电转换单元入射到所述像素间遮光部时发生全反射的最小入射角。
9.根据权利要求8所述的固态成像装置,其中
所述绝缘材料是氧化硅,且
所述临界角是20.5°。
10.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
所述沟槽的所述散射体侧的所述内侧面的所述开口侧是与所述基板的厚度方向所成的角度朝向所述沟槽的所述底部变小的曲面。
11.一种电子装置,其包括:
固态成像装置,其包括:
多个光电转换单元,所述多个光电转换单元形成在基板上且根据入射光的光量而产生信号电荷;
微透镜阵列,所述微透镜阵列包括微透镜,所述微透镜针对包括相邻的至少两个以上的所述光电转换单元的光电转换单元组而形成且将入射光引导至所述光电转换单元组;
散射体,所述散射体布置在由所述微透镜会聚的所述入射光的光路上;和
像素间遮光部,所述像素间遮光部包括沟槽和填充在所述沟槽中的绝缘材料,所述沟槽形成在所述光电转换单元组的所述光电转换单元和与该光电转换单元组相邻的所述光电转换单元之间,所述沟槽的所述散射体侧的内侧面的开口侧是以沟槽宽度朝向所述沟槽的底部变窄的方式倾斜的平面或弯曲的曲面;
光学透镜,所述光学透镜将来自被摄体的图像光形成在所述固态成像装置的成像面上;和
信号处理电路,所述信号处理电路对从所述固态成像装置输出的信号进行处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的