[发明专利]在悬浮的马约拉纳费米子设备中的离子注入限定的纳米棒

说明书

提供了可以有利于在半导电设备中的包括离子注入限定的纳米棒(406)的悬浮的马约拉纳费米子设备(2206)的设备、系统、方法、计算机实现的方法、装置和/或计算机程序产品。根据实施例，量子计算设备可以包括耦合到离子注入区(404)的马约拉纳费米子设备。量子计算设备可以还包括耦合到离子注入区和衬底层的封装膜(1404)。封装膜使马约拉纳费米子设备悬浮在量子计算设备中。

背景技术

本公开涉及马约拉纳费米子(Majorana fermion)设备及其形成方法。更具体地，本公开涉及在悬浮(suspend)的马约拉纳费米子设备中的离子注入限定的纳米棒及其形成方法。

发明内容

以下呈现概述以提供对本发明的一个或多个实施例的基本理解。本概述并不旨在标识关键或重要的元素，或示出特定实施例的任何范围或权利要求的任何范围。其唯一的目的是以简化的形式呈现概念，作为稍后呈现的更详细描述的序言。在本文所述的一个或多个实施例中，描述了有利于在半导电设备中的包括离子注入限定的纳米棒的悬浮的马约拉纳费米子设备的设备、系统、方法、计算机实现的方法、设备和/或计算机程序产品。

根据实施例，量子计算设备可以包括耦合到离子注入区的马约拉纳费米子设备。量子计算设备可以还包括耦合到离子注入区和衬底层的封装膜。封装膜使马约拉纳费米子设备悬浮在量子计算设备中。

根据实施例，方法可以包括：在量子计算设备中形成耦合到马约拉纳费米子设备的离子注入区。方法可以还包括：形成耦合到离子注入区和衬底层的封装膜，以使马约拉纳费米子设备悬浮在量子计算设备中。

根据实施例，设备可以包括马约拉纳费米子设备，该马约拉纳费米子设备包括离子注入限定的纳米棒。设备可以还包括超导层，该超导层耦合到离子注入限定的纳米棒。

附图说明

图1示出了根据本文描述的一个或多个实施例的可以包括形成在衬底层上的多个半导体层的示例非限制性设备的截面侧视图。

图2示出了根据本文描述的一个或多个实施例的在形成超导层之后的图1的示例非限制性设备的截面侧视图。

图3A和3B分别示出了根据本文描述的一个或多个实施例的在形成第一抗蚀剂层之后的图2的示例非限制性设备的顶视图和截面图。

图4A和4B分别示出了根据本文描述的一个或多个实施例的在执行离子注入工艺以形成离子注入限定的纳米棒和离子注入限定的感测区之后的图3A和3B的示例非限制性设备的顶视图和截面图。

图5A和5B分别示出了根据本文描述的一个或多个实施例的在执行湿法蚀刻工艺以去除超导层的部分之后的图4A和4B的示例非限制性设备的顶视图和截面图。

图6A和6B分别示出了根据本文描述的一个或多个实施例的在第一抗蚀剂层上和/或周围形成第二抗蚀剂层之后的图5A和5B的示例非限制性设备的顶视图和截面图。

图7A和7B分别示出了根据本文描述的一个或多个实施例的在执行湿法蚀刻工艺以从离子注入限定的纳米棒去除超导层的部分之后和在剥离第一和第二抗蚀剂层之后的图6A和6B的示例非限制性设备的顶视图和截面图。

图8A和8B分别示出了根据本文描述的一个或多个实施例的在形成抗蚀剂层之后的图7A和7B的示例非限制性设备的顶视图和截面图。

图9A和9B分别示出了根据本文描述的一个或多个实施例的在执行湿法蚀刻工艺以从半导电层去除超导层的部分之后的图8A和8B的示例非限制性设备的顶视图和截面图。

图10A和10B分别示出了根据本文描述的一个或多个实施例的在剥离抗蚀剂层之后的图9A和9B的示例非限制性设备的顶视图和截面图。

图11A和11B分别示出了根据本文描述的一个或多个实施例的在形成抗蚀剂层之后的图10A和10B的示例非限制性设备的顶视图和截面图。