[发明专利]用于自对准光刻胶图案化的像素化发光二极管

权利要求书

1.一种光源，包括：

阵列，包括：

多个光发射器，每个光发射器包括：

具有第一表面和第二表面的半导体层，

至少一部分光发射器的第一表面包括：

中心图案化表面和未图案化边界，以及

所述半导体层上的下转换器材料；和

位于每个光发射器之间的阻光金属层。

2.根据权利要求1所述的光源，其中所述未图案化边界具有在1至50微米的范围内的宽度。

3.根据权利要求1所述的光源，其中在所述中心图案化表面上存在所述下转换器材料，并且在所述未图案化边界的至少各部分上不存在所述下转换器材料。

4.根据权利要求1所述的光源，其中每个光发射器包括在5微米至500微米的范围内的最小宽度。

5.根据权利要求1所述的光源，其中所述半导体层包括GaN，并且所述下转换器材料包括磷光体材料。

6.根据权利要求1所述的光源，其中所述阻光金属层具有小于5微米的高度。

7.根据权利要求1所述的光源，其中所述阵列利用由通过缩合固化硅树脂体系粘结在一起的颗粒形成的磷光体来提供多色照明。

8.根据权利要求1所述的光源，其中所述多个光发射器是颜色可调的。

9.根据权利要求1所述的光源，还包括与至少一些光发射器对准的光学元件。

10.根据权利要求1所述的光源，其中所述光源用于建筑、相机闪光灯、和机动车照明中的至少一种。

11.一种通过自对准无掩模方法制作光源的方法，包括：

用正性光刻胶涂覆光发射器阵列；

激活至少一些光发射器以曝光部分正性光刻胶并创建显影的正性光刻胶，每个光发射器包括：具有第一表面和第二表面的半导体层，至少一部分光发射器的第一表面包括：中心图案化表面和未图案化边界；

洗去所述显影的正性光刻胶，以留下具有正性光刻胶侧壁的腔；以及

用下转换器材料至少部分地填充所述腔。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述未图案化边界具有在1至50微米的范围内的宽度。

13.根据权利要求11所述的方法，其中每个光发射器包括在5微米至500微米的范围内的最小宽度。

14.根据权利要求11所述的方法，其中每个光发射器的半导体层包括GaN。

15.根据权利要求11所述的方法，还包括在每个光发射器之间沉积高度小于5微米的阻光金属层。

16.根据权利要求11所述的方法，还包括沉积并洗去第二正性光刻胶层。

17.根据权利要求11所述的方法，还包括在支撑所述光发射器阵列的晶片的背侧上提供电触点。

18.根据权利要求11所述的方法，还包括激活所述光发射器阵列中的每一个。

19.根据权利要求11所述的方法，还包括激活选定的光发射器以限定期望的图案。

20.根据权利要求11所述的方法，还包括将光学元件与所述光发射器阵列中的至少一些对准。