[发明专利]热电元件

权利要求书

1.一种热电元件，包括：

第一基板；

第一树脂层，设置在所述第一基板上；

第一电极，设置在所述第一树脂层上；

半导体结构，设置在所述第一电极上；

第二电极，设置在所述半导体结构上；

第二树脂层，设置在所述第二电极上；以及

第二基板，设置在所述第二树脂层上，

其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括铜层、设置在所述铜层的两个表面上的第一镀层、以及设置在所述铜层的两个表面与所述第一镀层之间的第二镀层，

所述第一镀层的材料和所述第二镀层的材料彼此不同，并且

所述第一镀层中的每一个的熔点大于或等于300℃，并且导电率大于或等于9×10⁶S/m。

2.根据权利要求1所述的热电元件，其中，所述第一树脂层和所述第二树脂层中的至少一个被结合到所述第一镀层。

3.根据权利要求2所述的热电元件，其中：

所述第一基板为铝基板；

所述第二基板为铜基板；并且

在所述铝基板和所述第一树脂层之间进一步设置氧化铝层。

4.根据权利要求3所述的热电元件，其中，所述氧化铝层被进一步设置在所述铝基板的两个表面中与设置有所述第一树脂层的表面相对的那一表面上。

5.根据权利要求3所述的热电元件，还包括设置在所述第二基板上的散热器。

6.根据权利要求2所述的热电元件，其中：

所述半导体结构包括热电材料层和结合层，所述热电材料层包含BiTe，所述结合层设置在所述热电材料层的两个表面上；并且

所述结合层通过焊料被结合到所述第一镀层。

7.根据权利要求6所述的热电元件，其中，所述结合层和所述焊料包括锡(Sn)。

8.根据权利要求7所述的热电元件，还包括设置在所述热电材料层与所述结合层之间的扩散防止层，

其中，所述扩散防止层包括镍(Ni)。

9.根据权利要求1所述的热电元件，其中：

所述第一镀层包括银(Ag)；并且

所述第二镀层包括镍(Ni)。

10.根据权利要求9所述的热电元件，其中，所述第一镀层的厚度为0.1μm至10μm。