[发明专利]氮化钛硅势垒层

权利要求书

1.一种形成用于相变存储器装置的电极的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上方在经配置以存储存储器状态的相变存储元件上形成包括氮化钛硅(TiSiN)的电极，

其中形成所述电极包括使所述半导体衬底暴露到一或多个气相沉积循环，其中多个所述气相沉积循环包括暴露到钛(Ti)前体、暴露到氮(N)前体及暴露到硅(Si)前体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述电极包括通过热原子层沉积来形成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述电极包括在约200℃与约400℃之间的温度下使所述半导体衬底暴露到所述一或多个气相沉积循环。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述电极是至少部分非晶的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述电极包括调整硅浓度使得所述电极具有在约500μΩ-cm与约30,000μΩ-cm之间的电阻率。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述电极层具有超过约5原子％的硅浓度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述Si前体是选自由SiH₄、Si₂H₆、SiH₂Cl₂、SiH₃Cl、Si₂Cl₆或Si₃Cl₈组成的群组的前体。

8.根据权利要求1所述的方法，其中使所述半导体衬底暴露到所述一或多个气相沉积循环包括：

使所述半导体衬底暴露到一或多个第一沉积阶段，其中所述第一沉积阶段中的至少一者包括所述暴露到所述Ti前体及所述暴露到所述N前体；及

使所述半导体衬底暴露到一或多个第二沉积阶段，其中所述第二沉积阶段中的至少一者包括所述暴露到所述Si前体。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二沉积阶段中的所述至少一者进一步包括进一步暴露到所述N前体。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底包括经形成穿过绝缘层的通孔或沟槽，且其中形成所述电极包括用连续生长的保形TiSiN层填充所述通孔或所述沟槽。

11.一种形成相变存储器装置的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上方形成存储器单元，所述存储器单元包括包含氮化钛硅(TiSiN)的扩散势垒及相变存储元件，

其中形成所述扩散势垒包括使所述半导体衬底暴露到一或多个气相沉积循环，其中多个所述气相沉积循环包括暴露到钛(Ti)前体、暴露到氮(N)前体及暴露到硅(Si)前体。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述扩散势垒插置于所述相变存储元件与包括选择装置或金属化结构的相邻结构之间。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述相邻结构包括所述选择装置，且其中所述选择装置包括双向阈值开关。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述相邻结构包括所述金属化结构，且其中所述金属化结构包括包含Cu或W的金属化线。

15.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述扩散势垒包括调整硅浓度使得所述扩散势垒具有在约500μΩ-cm与约30,000μΩ-cm之间的电阻率。