[发明专利]电路基板用LCP膜的制造方法、及电路基板用T模熔融挤出LCP膜

权利要求书

1.电路基板用LCP膜的制造方法，其特征在于，至少具备：

组合物准备工序，准备至少含有液晶聚酯100质量份、及聚芳酯1～20质量份的LCP树脂组合物；

膜形成工序，对所述LCP树脂组合物进行T模熔融挤出，形成TD方向的线膨胀系数(α2)为50ppm/K以上的T模熔融挤出LCP膜；和，

加压加热工序，对所述T模熔融挤出LCP膜进行加压加热处理，得到TD方向的线膨胀系数(α2)为16.8±12ppm/K的电路基板用LCP膜。

2.如权利要求1所述的电路基板用LCP膜的制造方法，其中，所述T模熔融挤出LCP膜的MD方向的拉伸弹性模量Y_MD与TD方向的拉伸弹性模量Y_TD之比(Y_MD/Y_TD)为2以上10以下，

在所述加压加热工序中，对所述T模熔融挤出LCP膜进行加压加热处理，得到MD方向的拉伸弹性模量Y_MD与TD方向的拉伸弹性模量Y_TD之比(Y_MD/Y_TD)为0.8以上1.5以下的电路基板用LCP膜。

3.如权利要求1或2所述的电路基板用LCP膜的制造方法，其中，所述T模熔融挤出LCP膜具有10μm以上500μm以下的厚度。

4.如权利要求1～3中任一项所述的电路基板用LCP膜的制造方法，其中，在所述加压加热工序中，一边将所述T模熔融挤出LCP膜夹持于双带式加压机的环形带对之间一边进行热压接。

5.如权利要求4所述的电路基板用LCP膜的制造方法，其中，在所述加压加热工序中，在面压0.5～10MPa及加热加压时间250～430℃的条件下对所述T模熔融挤出LCP膜进行加压加热处理。

6.如权利要求1～5中任一项所述的电路基板用LCP膜的制造方法，其中，所述电路基板用LCP膜具有10μm以上500μm以下的厚度。

7.如权利要求1～6中任一项所述的电路基板用LCP膜的制造方法，其中，所述电路基板用LCP膜具有相对介电常数ε_r为3.0～3.9、介电损耗角正切tanδ为0.0005～0.003的介电特性(36GHz)。

8.电路基板用T模熔融挤出LCP膜，其至少含有液晶聚酯100质量份、及聚芳酯1～20质量份，

TD方向的线膨胀系数(α2)为16.8±12ppm/K，

且具有10μm以上500μm以下的厚度。

9.如权利要求8所述的电路基板用T模熔融挤出LCP膜，其MD方向的拉伸弹性模量Y_MD与TD方向的拉伸弹性模量Y_TD之比(Y_MD/Y_TD)为0.8以上1.5以下。

10.如权利要求8或9所述的电路基板用T模熔融挤出LCP膜，其具有相对介电常数ε_r为3.0～3.9、介电损耗角正切tanδ为0.0005～0.003的介电特性(36GHz)。