[发明专利]用于换能器阵列中的磨削恢复的方法和系统在审
申请号: | 202080081722.8 | 申请日: | 2020-11-24 |
公开(公告)号: | CN114728310A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | E·达克鲁兹;弗拉维安·达洛兹;J·巴雷特 | 申请(专利权)人: | 通用电气精准医疗有限责任公司 |
主分类号: | B06B1/06 | 分类号: | B06B1/06 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张娜;黄健 |
地址: | 美国威*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 换能器 阵列 中的 磨削 恢复 方法 系统 | ||
1.一种具有磨削恢复的声学叠层,所述声学叠层包括:
叉指状结构,所述叉指状结构包括耦接到第二梳结构的第一梳结构;
顶层,所述顶层耦接到所述叉指状结构的前侧;和
底层,所述底层耦接到所述叉指状结构的背侧,所述顶层和所述底层与所述叉指状结构电连续。
2.根据权利要求1所述的声学叠层,其中所述第一梳结构包括具有第一谐振频率的第一子元件,并且所述第二梳结构具有带有第二谐振频率的第二子元件,所述第二谐振频率不同于所述第一谐振频率。
3.根据权利要求1所述的声学叠层,其中所述叉指状结构的材料是导电的。
4.根据权利要求1所述的声学叠层,其中导电层布置在所述叉指状结构的所述背侧与所述底层之间。
5.根据权利要求1所述的声学叠层,其中所述叉指状结构包括具有至少一个附加子元件的至少一个附加梳结构,所述至少一个附加子元件具有与所述第一子元件和所述第二子元件不同的谐振频率。
6.根据权利要求1所述的声学叠层,所述声学叠层还包括多个换能器,所述多个换能器中的每个换能器包括所述第一子元件、所述第二子元件和所述至少一个附加子元件中的至少一者。
7.根据权利要求6所述的声学叠层,其中所述多个换能器各自包括在单独的电气电路中。
8.根据权利要求1所述的声学叠层,其中所述顶层是匹配层,并且所述底层是背衬层,并且所述匹配层和所述背衬层两者被构造成提供电导率。
9.一种方法,所述方法包括:
由具有第一子元件的第一梳结构、具有第二子元件的第二梳结构和基础封装件形成叉指状结构,所述基础封装件定位在所述叉指状结构的背侧处;
去除所述叉指状结构的前侧的一部分和所述叉指状结构的所述背侧的一部分,用于沿方位角方向和仰角方向中的至少一者的磨削恢复;以及
将匹配层和背衬层耦接到所述叉指状结构的相对两侧,以形成具有多频元件的多个集成电气电路。
10.根据权利要求9所述的方法,其中去除所述前侧的一部分包括通过磨削所述叉指状结构的所述前侧来减小所述叉指状结构的高度,所述高度沿垂直于所述方位角方向和所述仰角方向两者的横向方向限定。
11.根据权利要求10所述的方法,其中去除所述叉指状结构的所述背侧的一部分包括通过磨削所述叉指状结构的所述背侧来减小所述叉指状结构的高度,所述高度沿垂直于所述方位角方向和所述仰角方向两者的横向方向限定,并且其中磨削所述叉指状结构的所述背侧去除所述基础封装件的一部分以及设置在所述第一梳结构与所述第二梳结构之间以及设置在所述梳结构与所述基础封装件之间的非导电粘合剂层的部分。
12.根据权利要求9所述的方法,所述方法还包括将导电层溅镀到所述叉指状结构的磨削的背侧和磨削的前侧中的至少一者上,并且其中所述导电层分别定位在所述背侧与所述背衬层和/或所述前侧与所述匹配层之间。
13.根据权利要求12所述的方法,所述方法还包括在将所述背衬层耦接到所述叉指状结构之前将多个切口划切成所述叉指状结构,所述切口至少部分地沿所述叉指状结构的高度从所述导电层延伸,所述高度沿垂直于所述方位角方向和所述仰角方向两者的横向方向限定。
14.根据权利要求13所述的方法,其中形成所述多个集成电气电路包括通过用非导电材料和空气中的一者填充所述多个切口来将所述多个集成电气电路中的每个集成电气电路与相邻集成电气电路电隔离。
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