[发明专利]半导体装置及具有半导体装置的半导体系统在审
| 申请号： | 202080082526.2 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN114747021A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 杉本雅裕;樋口安史 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/365;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/12;C23C16/40 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 具有 系统 | ||
1.一种半导体装置，至少具有高电阻氧化物膜，其特征在于，所述高电阻氧化物膜沿着电流的流动方向配置，所述高电阻氧化物膜的电阻为1.0×106Ω·cm以上。
2.一种半导体装置，至少具有栅极、源极、漏极及高电阻氧化物膜的半导体装置，其特征在于，在所述源极与所述漏极之间配置有所述高电阻氧化物膜，所述高电阻氧化物膜的电阻为1.0×106Ω·cm以上。
3.一种半导体装置，至少具有栅极、源极、漏极、高电阻氧化物膜及基板的半导体装置，其特征在于，在所述源极或/和所述漏极与所述基板之间配置有所述高电阻氧化物膜，所述高电阻氧化物膜的电阻为1.0×106Ω·cm以上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，所述高电阻氧化物膜的电阻为1.0×1010Ω·cm以上。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，所述高电阻氧化物膜为电流阻挡层。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，所述高电阻氧化物膜具有刚玉结构。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，所述高电阻氧化物膜包含Ga2O3。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，所述高电阻氧化物膜包含p型掺杂剂。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的，其中，所述半导体装置进一步包含沟道形成区域，在所述沟道形成区域下配置有所述高电阻氧化物膜。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置的场效应迁移率为30cm2/V·s以上。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置进一步具备半导体层及基板，在所述半导体层与所述基板之间配置有所述高电阻氧化物膜。
12.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其中，所述高电阻氧化物膜具有开口部，所述半导体装置为纵向型器件。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置为功率器件。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置为MOSFET。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置的开关比为1000以上。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置为常闭型。
17.一种半导体系统，具备半导体装置，所述半导体装置为权利要求1至16中任一项所述的半导体装置。
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