[发明专利]半导体装置及半导体系统在审
| 申请号： | 202080082530.9 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN114762129A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 杉本雅裕;樋口安史 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C16/40;C30B29/16;H01L21/365;H01L21/368;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 系统 | ||
1.一种半导体装置，至少具有结晶性氧化物半导体层，其特征在于，所述结晶性氧化物半导体层的带隙为3eV以上，场效应迁移率为30cm2/V·s以上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述场效应迁移率为60cm2/V·s以上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述结晶性氧化物半导体层包含p型掺杂剂。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，在所述结晶性氧化物半导体层上进一步配置有高电阻氧化物膜，所述高电阻氧化物膜的电阻为1.0×106Ω·cm以上。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述高电阻氧化物膜的电阻为1.0×1010Ω·cm以上。
6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其中，所述半导体装置进一步包含沟道形成区域，在所述沟道形成区域下配置有所述高电阻氧化物膜。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体装置，其中，所述高电阻氧化物膜为电流阻挡层。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，所述结晶性氧化物半导体层具有刚玉结构。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中，所述结晶性氧化物半导体层包含Ga2O3。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置为纵向型器件。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置为功率器件。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置为MOSFET。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置的开关比为1000以上。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置为常闭型。
15.一种半导体系统，具备半导体装置，所述半导体装置为权利要求1至14中任一项所述的半导体装置。
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