[发明专利]用于处理基板的方法和设备

说明书

本发明提供用于处理基板的方法和设备。举例而言，方法可包括在第一基板上沉积第一金属层；在第一金属层顶上沉积第二金属层；在第二基板上沉积第三金属层；在第三金属层顶上沉积第四金属层；以及在足以通过扩散层使第一基板接合至第二基板的条件下，使第二材料层与第四材料层接触，所述扩散层由第一金属层的扩散穿过第二金属层中的部分和第三金属层的扩散穿过第四金属层中的部分形成。

技术领域

本公开的实施例大体上是涉及用于处理基板的方法和设备，并且更具体地是涉及用于高性能芯片级热传导界面形成的方法和设备。

相关技术说明

已知用于将冷却系统连接至诸如大功率芯片、片上系统(system on chip；SoC)或小芯片的芯片(集成芯片(integrated chip；IC))的方法和设备。例如，在芯片的封装级装配期间，可使用若干层诸如焊锡或铟基材料、散热体、冷却板(散热器(heat sink))和/或隔片(金属)的一种或多种合适的热界面材料(thermal interface material；TIM)将热量自芯片传导至冷却系统。常规的冷却系统可包括，例如，诸如热电冷却IC或微机电系统(microelectromechanical system；MEMS)微流体管道的远程冷却芯片，以提高热耗散能力。

然而，发明者已发现在基板(晶片)装配期间用于高性能芯片级热传导界面形成的方法和设备可提高从芯片至冷却系统的导热性。

发明内容

本文提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施例中，方法可包括在第一基板上沉积第一金属层；在第一金属层顶上沉积第二金属层；在第二基板上沉积第三金属层；在第三金属层顶上沉积第四金属层；以及在足以通过扩散层使第一基板接合至第二基板的条件下使第二金属层与第四金属层接触，所述扩散层由第一金属层的扩散穿过第二金属层中的部分和第三金属层的扩散穿过第四金属层中的部分形成。

根据至少一些实施例，提供非瞬态计算机可读存储介质，其上存储有指令，当由处理器执行时，所述指令执行用于处理基板的方法，方法包括在第一基板上沉积第一金属层；在第一金属层顶上沉积第二金属层；在第二基板上沉积第三金属层；在第三金属层顶上沉积第四金属层；以及在足以通过扩散层使第一基板接合至第二基板的条件下，使第二金属层与第四金属层接触，所述扩散层由第一金属层的扩散穿过第二金属层中的部分和第三金属层的扩散穿过第四金属层中的部分形成。

根据至少一些实施例，提供一种集成电路，所述集成电路具有设置在其上的第一金属层；第二金属层，所述第二金属层设置在第一金属层上，与第一金属层不同；基板，所述基板具有设置在其上的第三金属层；第四金属层，所述第四金属层设置在第三金属层上，与第三金属层不同；以及间层，其包含第一金属层的设置在第二金属层与第四金属层之间的部分及第三金属层的设置在第二金属层与第四金属层之间的部分。

下文描述本公开的其他及进一步的实施例。

附图简述

本公开在上文简要概述并且在下文更详细地讨论的实施例可参考附图中描绘的本公开的说明性实施例来理解。然而，附图仅图示本公开的典型实施例，并且因此不应认为其限制本公开的范围，因为本公开可承认其他等效的实施例。

图1为根据本公开的至少一些实施例的用于处理基板的方法的流程图。

图2为根据本公开的至少一些实施例的用于处理基板的设备的示意图。

图3A至图3C为根据本公开的至少一些实施例的说明图1的方法的处理顺序的示图。

图4A至图4D为根据本公开的至少一些实施例的说明图1的方法的处理顺序的示图。

图5A至图5C为根据本公开的至少一些实施例的说明图1的方法的处理顺序的示图。

图6为根据本公开的至少一些实施例的基板的示图。