[发明专利]峰值检测器电路和用于评估第一输入电压的峰值的方法在审
申请号: | 202080082794.4 | 申请日: | 2020-11-11 |
公开(公告)号: | CN114762252A | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 达利博尔·戈拉尔 | 申请(专利权)人: | AMS有限公司 |
主分类号: | H03K5/1532 | 分类号: | H03K5/1532 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 程强;刘继富 |
地址: | 奥地利普*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 峰值 检测器 电路 用于 评估 第一 输入 电压 方法 | ||
峰值检测器电路(10),包括:第一输入端子(11),其用于提供第一输入电压(VIN1);第一整流元件(15),其阳极连接到第一输入端子(11);第一电容器(16),其第一电极连接到第一整流元件(15)的阴极;第一端子(13),其被耦合到第一电容器(16)的第一电极;第二整流元件(20),其阴极连接到第一输入端子(11);第二电容器(21);第一开关(23),其将第二整流元件(20)的阳极耦合到第二电容器(21)的第一电极,以及第二端子(22),其被耦合到第二电容器(21)的第一电极。
本公开涉及一种峰值检测器电路、一种具有该峰值检测器电路的电流测量装置、一种包括该电流测量装置的光检测和测距系统以及一种用于评估第一输入电压的峰值的方法。
峰值检测器电路通常配置成捕获信号、特别是电压信号的峰值。通常,待检测峰值相对于参考电位是正的。然而,在某些情况下,也必须检测低于参考电位的峰值。为了实现信号评估的高精度,必须以高精度来检测峰值。
本发明的目的是提供以高精度实现峰值检测的峰值检测器电路、电流测量装置、光检测和测距系统以及用于评估第一输入电压的峰值的方法。
这些目的通过独立权利要求的主题来实现。从属权利要求中描述进一步的发展和实施例。
在一个实施例中,峰值检测器电路包括:第一输入端子,其用于提供第一输入电压;第一整流元件,其阳极连接到第一输入端子;第一电容器,其第一电极连接到第一整流元件的阴极;以及第一端子,其被耦合到第一电容器的第一电极。此外,峰值检测器电路包括:第二整流元件,其阴极连接到第一输入端子;第二电容器;第一开关,其将第二整流元件的阳极耦合到第二电容器的第一电极;以及第二端子,其被耦合到第二电容器的第一电极。
有利地,第一端子电压和第二端子电压能够在第一和第二端子处分接。第一输入电压的峰值能够使用第一和第二端子电压来确定。例如,第一输入电压的峰值可以等于第一端子电压和第二端子电压之和。
在一个实施例中,峰值检测器电路还包括将第一电容器的第一电极耦合到参考电位端子的第一放电开关。有利地,第一电容器能够在测量之后放电。
在一个实施例中,峰值检测器电路还包括将第二电容器的第一电极耦合到参考电位端子的第二放电开关。有利地,第二放电开关配置为使第二电容器在测量之后放电。
在一个实施例中,峰值检测器电路还包括将第二整流元件的阳极耦合到参考电位端子的第一接地开关。有利地,第一接地开关将第二整流元件的阳极保持在低电压,使得第一开关能够实现为低电压开关。
在一个实施例中,第一和第二整流元件被实现为包括二极管、肖特基二极管、结型二极管和以二极管配置连接的双极晶体管的组中的一个。二极管可以是pn二极管。有利地,能够容易地用互补金属氧化物半导体技术(缩写为CMOS技术)来制造二极管。有利地,肖特基二极管具有低的正向电压降。
在一个实施例中,峰值检测器电路还包括评估电路。评估电路可以包括加法电路,该加法电路具有:第一输入端,其被耦合到第一端子;第二输入端,其被耦合到第二端子;以及第一检测器输出端,其用于提供第一检测器电压。第一检测器电压可以是在第一端子处分接的第一端子电压与在第二端子处分接的第二端子电压之和的函数。有利地,第一检测器电压以高精度表示第一输入电压的峰值。
在一个实施例中,峰值检测器电路还包括:第二输入端子、第三整流元件,其阳极连接到第二输入端子;第三电容器,其第一电极连接到第三整流元件的阴极;以及第三端子,其被耦合到第三电容器的第一电极。此外,峰值检测器电路包括:第四整流元件,其阴极连接到第二输入端子;第四电容器;第二开关,其将第四整流元件的阳极耦合到第四电容器的第一电极;以及第四端子,其被耦合到第四电容器的第一电极。有利地,在第二输入端子处分接的第二输入电压的峰值能够以高精度检测。
在一个实施例中,第三和第四整流元件被实现为包括二极管、肖特基二极管、结型二极管和以二极管配置连接的双极晶体管的组中的一个。
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