[发明专利]晶片加工用临时粘接剂、晶片层叠体及薄型晶片的制造方法在审
申请号: | 202080083572.4 | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN114868232A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 武藤光夫;田上昭平;菅生道博 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;C09J11/04;C09J11/06;C08L83/05;C08L83/07;C09J183/04;C09J183/05;C09J183/07 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 杜丽利 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 工用 临时 粘接剂 层叠 制造 方法 | ||
1.用于将晶片临时粘接于支撑体的晶片加工用临时粘接剂,其包含含有无官能性有机聚硅氧烷的热固化性有机硅树脂组合物。
2.根据权利要求1所述的晶片加工用临时粘接剂,其中,所述含有无官能性有机聚硅氧烷的热固化性有机硅树脂组合物包含:
(A)在1分子中具有2个以上的烯基的有机聚硅氧烷:100质量份,
(B)在1分子中含有2个以上的与硅原子键合的氢原子即SiH基的有机氢聚硅氧烷:其量满足(B)成分中SiH基的总计相对于(A)成分中烯基的总计以摩尔比计为0.3~10,
(C)无官能性有机聚硅氧烷:0.1~200质量份,及
(D)氢化硅烷化反应催化剂:相对于(A)、(B)及(C)成分的总质量,以金属原子量换算为0.1~5000ppm。
3.根据权利要求2所述的晶片加工用临时粘接剂,其中,(C)成分的无官能性有机聚硅氧烷的30质量%甲苯溶液在25℃的粘度为100~500000mPa·s。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的晶片加工用临时粘接剂,其中,相对于所述(A)、(B)及(C)成分的总质量,所述含有无官能性有机聚硅氧烷的热固化性有机硅树脂组合物还包含0.001~10质量份的作为(E)成分的氢化硅烷化反应控制剂。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的晶片加工用临时粘接剂,其中,所述含有无官能性有机聚硅氧烷的热固化性有机硅树脂组合物固化后,25mm宽的试验片在25℃对硅基板的180゜剥离的剥离力为2gf以上且50gf以下。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的晶片加工用临时粘接剂,其中,所述含有无官能性有机聚硅氧烷的热固化性有机硅树脂组合物固化后,在25℃的储能模量为1000Pa以上且1000MPa以下。
7.薄型晶片的制造方法,其包括:
(a)使用根据权利要求1~6中任一项所述的晶片加工用临时粘接剂,将在正面具有电路形成面并在背面具有非电路形成面的晶片的所述电路形成面能剥离地粘接于支撑体,以形成晶片层叠体的工序,
(b)使所述临时粘接剂热固化的工序,
(c)磨削或研磨所述晶片层叠体的晶片的非电路形成面的工序,
(d)在所述晶片的非电路形成面实施加工的工序,和
(e)将所述实施了加工的晶片从所述支撑体剥离的工序。
8.晶片层叠体,其具备:支撑体、在其上层叠的由根据权利要求1~6中任一项所述的晶片加工用临时粘接剂得到的临时粘接剂层、和在正面具有电路形成面并在背面具有非电路形成面的晶片,
所述临时粘接剂层被能剥离地粘接于所述晶片的正面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造