[发明专利]生产高纯度212

权利要求书

1.一种用于获得在壁上包含²¹²Pb的容器的方法，包括以下步骤：

-提供包括第一部分和第二部分的组件，其中所述第一部分包括容器并且所述第二部分包括²¹²Pb前体同位素源，

-连接所述第一部分和所述第二部分，使得所述²¹²Pb前体同位素源不与所述容器的内壁接触，并且提供单室容器组件，

-使所述²¹²Pb前体同位素源有足够的时间衰变为后代²²⁰Rn、²¹⁶Po和/或²¹²Pb，并使²²⁰Rn、²¹⁶Po和/或²¹²Pb有足够的时间沉降到所述单室容器组件的内壁上，

-去除或分离所述单室组件中的剩余²¹²Pb前体同位素，而无需使所述²¹²Pb前体同位素源与所述单室容器组件的内壁接触，以及

-获得一个容器，该容器在容器内壁上包含²¹²Pb并且在容器内壁上基本上不含所述²¹²Pb前体同位素源。

2.一种组件，包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分包括容器，所述第二部分包括²¹²Pb前体同位素源，其中所述第一部分和所述第二部分连接，使得所述²¹²Pb前体同位素源不与所述容器内壁接触，从而提供单室容器组件。

3.一种单室容器组件，包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分包括容器并且第所述二部分包括²¹²Pb前体同位素源，其中所述第一部分和所述第二部分连接，使得所述²¹²Pb前体同位素源不与所述容器内壁接触。

4.根据权利要求1所述的方法，根据权利要求2-3所述的组件，其特征在于，所述单室容器组件是气密的。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法和组件，其特征在于，所述²¹²Pb前体同位素源选自²³²Th、²²⁸Ra、²²⁸Ac、²²⁸Th和/或²²⁴Ra。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法和组件，其特征在于，所述²¹²Pb前体同位素源是²³²Th、²²⁸Ra、²²⁸Ac、²²⁸Th和²²⁴Ra的混合物。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法和组件，其特征在于，所述²¹²Pb前体同位素源是²²⁸Th和²²⁴Ra的混合物。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法和组件，其特征在于，所述²¹²Pb活性是所述²²⁴Ra前体活性的0％至114％。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法和组件，其特征在于，所述²¹²Pb活性是所述²²⁸Th前体活性的0％至103％。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法和组件，其特征在于，所述单室容器组件中的放射性总量为1kBq-100 GBq。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法和组件，其特征在于，所述²¹²Pb前体同位素源是无机盐或有机盐的形式，例如RaCl₂。