[发明专利]硅微粒及其制造方法

权利要求书

1.一种硅微粒，其特征在于，包含通过显微镜法测定的粒径为1μm以上的粒子，

关于所述硅微粒，通过激光衍射散射法测定的体积基准的平均粒径在0.8μm以上且8.0μm以下的范围内，

通过激光衍射散射法测定的个数基准的平均粒径在0.100μm以上且0.150μm以下的范围内，

通过BET法测定的比表面积在4.0m²/g以上且10m²/g以下的范围内，

关于所述通过显微镜法测定的粒径为1μm以上的粒子，通过下述式(1)求出的圆度的平均值为0.93以上，

圆度＝(4×π×粒子的投影面积)^1/2/粒子的周长 (1)。

2.根据权利要求1所述的硅微粒，其中，

在通过激光衍射散射法测定的体积基准的粒度分布中，累积频率为10体积％的粒径D10为0.160μm以下，累积频率为50体积％的粒径D50为0.600μm以下，累积频率为90体积％的粒径D90为20μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的硅微粒，其中，

所述通过显微镜法测定的粒径为1μm以上的粒子的平均纵横比为1.33以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的硅微粒，其中，

关于所述通过显微镜法测定的粒径为1μm以上的粒子，通过下述式(2)求出的凹凸度的平均值为0.96以上，

凹凸度＝粒子的包络周长/粒子的周长 (2)。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的硅微粒，其中，

残留应变为0.0300％以上。

6.一种硅微粒，其特征在于，包含通过显微镜法测定的粒径为1μm以上的粒子，

关于所述硅微粒，在通过激光衍射散射法测定的体积基准的粒度分布中，累积频率为10体积％的粒径D10为0.160μm以下，累积频率为50体积％的粒径D50为0.600μm以下，累积频率为90体积％的粒径D90为20μm以下，

通过BET法测定的比表面积在4.0m²/g以上且10m²/g以下的范围内，

关于所述通过显微镜法测定的粒径为1μm以上的粒子，通过下述式(1)求出的圆度的平均值为0.93以上，

圆度＝(4×π×粒子的投影面积)^1/2/粒子的周长 (1)。

7.一种硅微粒的制造方法，其特征在于，包括：

准备通过筛分法分选的最大粒径为1000μm以下的硅粗粒的工序；及

粉碎工序，将所述硅粗粒及粒径在1mm以上且10mm以下的范围内的硬质球填充于填充有非氧化性气体的容器中，通过使用三维球磨机装置使所述容器旋转，将硅粗粒粉碎30分钟以上，

在所述粉碎工序中，相对于所述硅粗粒100质量份，所述硬质球的量在500质量份以上且2500质量份以下的范围内，

在所述粉碎工序中，相对于所述容器的容量，所述硅粗粒及所述硬质球的合计体积在3％以上且35％以下的范围内。