[发明专利]陶瓷接合体、静电卡盘装置及陶瓷接合体的制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷接合体，其具备：

一对陶瓷板，包含导电性物质；以及

导电层及绝缘层，介于所述一对陶瓷板之间，

所述一对陶瓷板与所述绝缘层的界面处的气孔率为4％以下,

构成所述绝缘层的绝缘性物质的平均一次粒径与构成所述陶瓷板的绝缘性物质的平均一次粒径之比大于1。

2.根据权利要求1所述的陶瓷接合体，其中，

所述导电层由导电性物质及绝缘性物质构成，

所述绝缘层由绝缘性物质构成。

3.根据权利要求2所述的陶瓷接合体，其中，

构成所述绝缘层的绝缘性物质的平均一次粒径为1.6μm以上且10.0μm以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的陶瓷接合体，其中，

所述陶瓷板由氧化铝及碳化硅的复合体构成。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的陶瓷接合体，其中，

所述导电层及所述绝缘层中所包含的绝缘性物质仅由氧化铝构成。

6.根据权利要求2～5中任一项所述的陶瓷接合体，其中，

所述导电层中所包含的导电性物质为选自由Mo₂C、Mo、WC、W、TaC、Ta、SiC、炭黑、碳纳米管及碳纳米纤维组成的组中的至少1种。

7.一种静电卡盘装置，其是将由陶瓷形成的静电卡盘部件与由金属形成的温度调整用基底部件经由粘接剂层接合而成，在所述静电卡盘装置中，

所述静电卡盘部件由权利要求1～6中任一项所述的陶瓷接合体构成。

8.一种陶瓷接合体的制造方法，其具有：

准备包含导电性物质的第1陶瓷板及包含导电性物质的第2陶瓷板的工序；

对所述第1陶瓷板的一个面实施磨削加工或抛光加工，将所述第1陶瓷板的一个面的算术平均粗糙度Ra设为0.25μm以下的工序；

在所述第1陶瓷板的经所述加工的一个面上涂布导电层形成用膏，而形成导电层涂膜的工序；

在所述第1陶瓷板的经所述加工的一个面上涂布绝缘层形成用膏，而形成绝缘层涂膜的工序；

对所述第2陶瓷板的一个面实施磨削加工或抛光加工，将所述第2陶瓷板的所述一个面的算术平均粗糙度Ra设为0.25μm以下的工序；

以所述导电层涂膜及所述绝缘层涂膜的与和所述第1陶瓷板相接的面相反的一侧的面与所述第2陶瓷板的经所述加工的一个面相接的方式，将所述第2陶瓷板与所述导电层涂膜及所述绝缘层涂膜层叠的工序；及

将包括所述第1陶瓷板、所述导电层涂膜、所述绝缘层涂膜及所述第2陶瓷板的层叠体一边进行加热一边在厚度方向上进行加压的工序。

9.根据权利要求8所述的陶瓷接合体的制造方法，其中，

在所述形成导电层涂膜的工序之后，进行所述形成绝缘层涂膜的工序。

10.根据权利要求1所述的陶瓷接合体，其中，

所述导电层与所述一对陶瓷板直接接触且夹在其中，

所述绝缘层与所述一对陶瓷板直接接触且夹在其中。

11.根据权利要求1所述的陶瓷接合体，其中，

所述绝缘层配置于所述导电层的外周，

所述陶瓷板由氧化铝及碳化硅的复合体构成，

所述导电层由氧化铝及碳化钼构成，

所述绝缘层由氧化铝构成。