[发明专利]反应性聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物、其形成工艺和使用其的组合物

权利要求书

1.聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物，其具有通式(I)：

T¹_aT²_bT³_c (I)

其中

T¹独立地为R^F-Q-SiX₂O_1/2；

T²独立地为R^F-Q-SiXO_2/2；

T³独立地为R^F-Q-SiO_3/2；

各R^F独立地为C_nF_(2n+1)基团，其中n为1-16；

各Q独立地为含有1-6个碳原子的二价线型或支化亚烷基基团、或者含有1-6个碳原子和形成醚基团的氧原子或者形成酰氨基亚烷基基团的氧代基团和氨基基团的二价线型或支化亚烷基基团；

各X独立地为羟基基团或可水解基团；和

其中a为0-12的整数，b为1-10的整数，并且c为1-10的整数，条件是

(i)T¹、T²、或T³单元中与一个硅原子键合的半个氧原子和T¹、T²、或T³单元中与一个不同硅原子键合的半个氧原子配对以形成Si-O-Si键；和

(ii)a+b+c之和为5-32。

2.根据权利要求1所述的反应性聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物，其中T¹、T²、和T³中的各R^F独立地选自CF₃-、CF₃(CF₂)₂-、CF₃(CF₂)₃-、CF₃(CF₂)₄-、CF₃(CF₂)₅-、CF₃(CF₂)₆-和CF₃(CF₂)₇-。

3.根据权利要求1或2所述的反应性聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物，其中T¹、T²、和T³中的各X独立地选自羟基基团或含有1-6个碳原子的烷氧基基团。

4.根据权利要求1所述的反应性聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物，其中T¹、T²、和T³中的各Q独立地选自-(CH₂)₂-、-CH₂CH(CH₃)-、-(CH₂)₃-或-(CH₂)₄-。

5.根据权利要求1所述的反应性聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物，其中所述低聚物为具有式(I)的支化的聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物，其中a等于2+c，b为1-10，并且c为1-10。