[发明专利]促进量子装置中谐振器频移的开关器件

说明书

提供了可以促进开关器件的装置、系统、方法、计算机实现的方法、设备和/或计算机程序产品，所述开关器件对量子装置中的谐振器的频率进行移位。根据实施例，一种装置(102)可以包括耦合到量子位的读出谐振器(104)。所述装置还可以包括跨越所述读出谐振器形成的开关器件(108)，所述开关器件基于所述开关器件的位置来移位所述读出谐振器的频率。根据另一个实施例，一种装置可以包括耦合到多个量子位的总线谐振器。所述装置可进一步包括跨越所述总线谐振器形成的开关器件，所述开关器件基于所述开关器件的位置而使所述总线谐振器的频率移位。

背景技术

本公开涉及使量子装置中的谐振器的频率移位，并且更具体地，本公开涉及使量子装置中的谐振器的频率移位的开关器件以及用于形成该开关器件的方法。

发明内容

以下给出了概述以提供对本发明的一个或多个实施例的基本理解。本概述不旨在标识关键或重要元素，或描绘特定实施例的任何范围或权利要求的任何范围。其唯一目的是以简化形式呈现概念，作为稍后呈现的更详细描述的序言。在本文描述的一个或多个实施例中，描述了促进开关器件的装置、系统、方法、计算机实现的方法、设备和/或计算机程序产品，所述开关器件对量子装置中的谐振器的频率进行移位。

根据实施例，一种装置可以包括耦合到量子位的读出谐振器。所述装置还可以包括跨越所述读出谐振器形成的开关器件，所述开关器件基于所述开关器件的位置来移位所述读出谐振器的频率。

根据实施例，一种装置可以包括耦合到多个量子位的总线谐振器。所述装置可进一步包括跨越所述总线谐振器形成的开关器件，所述开关器件基于所述开关器件的位置而使所述总线谐振器的频率移位。

根据实施例，一种方法可以包括采用开关器件以基于所述开关器件的位置来移位耦合到量子位的读出谐振器的频率。开关器件跨越读出谐振器形成。

附图说明

图1示出了根据本文所述的一个或多个实施例的可以使用开关器件促进量子装置中的谐振器的频移的示例性非限制性系统的顶视图。

图2A和2B示出了根据本文所述的一个或多个实施方式的示例性非限制性量子装置的正交视图，该量子装置可以使用开关器件来促进量子装置中的谐振器的频移。

图3A和3B分别示出了根据本文中所描述的一个或多个实施例的包含电介质衬底的示例性非限制性装置的顶视图和横截面图，所述电介质衬底具有形成于其上的牺牲层。

图4A和4B分别示出了根据本文中所描述的一个或多个实施例的、在移除牺牲层的部分之后图3A和3B的示例性非限制性装置的顶视图和横截面图。

图5A和5B分别示出了根据本文中所描述的一个或多个实施例的、在移除电介质衬底的部分之后图4A和4B的示例性非限制性装置的顶视图和横截面图。

图6A和6B分别示出了根据本文所述的一个或多个实施例的图5A和5B的示例性非限制性装置在形成超导层之后的顶视图和截面图。

图7示出了根据本文所述的一个或多个实施例的、在去除超导层的部分和牺牲层的剩余部分之后的、图6A和6B的示例性非限制装置的示例性非限制替代实施例的顶视图。

图8示出了根据本文所述的一个或多个实施例的、在形成电介质层之后的图7的示例性非限制性装置的顶视图。

图9示出了根据本文描述的一个或多个实施例的、在形成第二牺牲层之后的图8的示例性非限制性装置的顶视图。

图10示出了根据本文所述的一个或多个实施例的、在沉积金属层以形成开关器件之后的图9的示例性非限制性器件的顶视图。

图11示出了根据本文描述的一个或多个实施例的、在移除第二牺牲层之后的图10的示例性非限制性装置的顶视图。