[发明专利]电磁波检测器以及电磁波检测器集合体

权利要求书

1.一种电磁波检测器，具备：

半导体层，形成有至少1个台阶部，且对于检测波长具有灵敏度；

绝缘膜，配置于所述至少1个台阶部上，且设置有使所述至少1个台阶部的一部分露出的至少1个开口部；

二维材料层，配置于所述绝缘膜以及所述至少1个开口部上，且具有在所述至少1个开口部与所述半导体层电连接的连接区域；

第1电极部，配置于所述绝缘膜上，且与所述二维材料层电连接；以及

第2电极部，配置于所述半导体层上，且经由所述二维材料层的所述连接区域而与所述第1电极部电连接。

2.根据权利要求1所述的电磁波检测器，其中，

所述至少1个台阶部具有顶部、底部以及配置于所述底部与所述顶部之间的侧部，

所述至少1个开口部以使所述顶部、所述底部以及所述侧部中的至少一部分露出的方式设置。

3.根据权利要求1或者2所述的电磁波检测器，其中，

所述至少1个开口部包括多个开口部，

所述多个开口部分别以使所述至少1个台阶部中的1个台阶部的一部分露出的方式设置。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的电磁波检测器，其中，

所述至少1个台阶部包括多个台阶部，

所述至少1个开口部以使所述多个台阶部中的至少一部分露出的方式设置。

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的电磁波检测器，其中，

所述半导体层包括电流切断构造，该电流切断构造位于与所述绝缘膜对置的区域，以包围所述至少1个开口部的外周的方式配置。

6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的电磁波检测器，其中，

所述电磁波检测器还具备缓冲层，该缓冲层在所述至少1个开口部的内部配置于所述半导体层与所述二维材料层的所述连接区域之间。

7.根据权利要求6所述的电磁波检测器，其中，

所述缓冲层具有能够在所述二维材料层的所述连接区域与所述半导体层之间形成隧道电流的厚度。

8.根据权利要求1～5中的任意一项所述的电磁波检测器，其中，

所述电磁波检测器还具备连接导电体，该连接导电体在所述至少1个开口部的内部将所述半导体层与所述二维材料层的所述连接区域进行电连接。

9.根据权利要求1～8中的任意一项所述的电磁波检测器，其中，

所述二维材料层还具有电极连接区域，该电极连接区域与所述第1电极部电连接，

与所述连接区域与所述电极连接区域并排排列的方向交叉的方向上的所述连接区域的宽度的最小值比所述电极连接区域的宽度的最小值窄。

10.根据权利要求9所述的电磁波检测器，其中，

所述交叉的方向上的所述连接区域的宽度随着在所述排列的方向上远离所述电极连接区域而逐渐变窄。

11.根据权利要求1～10中的任意一项所述的电磁波检测器，其中，

所述半导体层包括：

第1半导体部分，具有第1导电类型；以及

第2半导体部分，与所述第1半导体部分接合，具有第2导电类型，

在所述至少1个开口部的内部，所述第1半导体部分与所述第2半导体部分的接合部的一部分以及与所述接合部相连的所述第1半导体部分的一部分和所述第2半导体部分的一部分以与所述二维材料层的所述连接区域面对的方式配置。

12.根据权利要求11所述的电磁波检测器，其中，

所述第1电极部与所述第1半导体部分直接连接，

所述第2电极部与所述第2半导体部分直接连接。