[发明专利]涂覆切削工具在审
申请号: | 202080086552.2 | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN114829676A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 法伊特·席尔;沃尔夫冈·恩格哈特 | 申请(专利权)人: | 瓦尔特公开股份有限公司 |
主分类号: | C23C28/04 | 分类号: | C23C28/04;C23C14/06;C23C14/35;C23C28/00;C23C30/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 杨海荣;曲盛 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切削 工具 | ||
1.一种包含具有涂层的基体的涂覆切削工具,所述涂层包含(Ti,Al)N层,所述(Ti,Al)N层的总体组成为(TixAl1-x)N,0.34≤x≤0.65,所述(Ti,Al)N层含有平均晶粒尺寸为10至100nm的柱状(Ti,Al)N晶粒,所述(Ti,Al)N层包含立方晶体结构的晶格面,所述(Ti,Al)N层在电子衍射分析中显示有图案,其中在平均径向强度分布图谱中存在显示为峰(P)的衍射信号,所述峰(P)的最大值在3.2至4.0nm-1的散射矢量范围内,所述峰(P)的半高全宽(FWHM)为0.8至2.0nm-1。
2.根据权利要求1所述的涂覆切削工具,其中所述(Ti,Al)N层的总体组成为(TixAl1-x)N,0.35≤x≤0.55,优选0.36≤x≤0.45。
3.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆切削工具,其中平均径向强度分布图谱中的所述峰(P)的最大值在3.4至3.8nm-1的散射矢量范围内。
4.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆切削工具,其中所述峰(P)的半高全宽(FWHM)为1.0至1.8nm-1,优选1.2至1.6nm-1。
5.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆切削工具,其中所述(Ti,Al)N层是由2至4个彼此具有不同Ti:Al比的不同(Ti,Al)N子层制成的(Ti,Al)N纳米多层。
6.根据权利要求5所述的涂覆切削工具,其中Ti:Al比最低的子层的Ti:Al比为0.10:0.90至0.50:0.50,并且Ti:Al比最高的子层的Ti:Al比为0.30:0.70至0.70:0.30。
7.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆切削工具,其中所述(Ti,Al)N层的厚度为0.4至20μm。
8.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆切削工具,其中所述(Ti,Al)N层的热导率为2.5至4.0W/mK。
9.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆切削工具,其中所述(Ti,Al)N层的维氏硬度为2600至3700HV0.0015。
10.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆切削工具,其中所述(Ti,Al)N的折减杨氏模量为350至470GPa。
11.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆切削工具,其中所述涂层整体上的厚度为1至25μm。
12.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆切削工具,其中在所述(Ti,Al)N层中的(Ti,Al)N晶粒之间存在晶界相。
13.根据权利要求12所述的涂覆切削工具,其中所述晶界相包含六方晶体结构。
14.根据权利要求12或13中任一项所述的涂覆切削工具,其中所述晶界相的平均厚度为1至5nm,优选1至3nm。
15.根据前述权利要求中任一项所述的涂覆切削工具,其中给出所述峰(P)的衍射信号由六方晶体结构产生。
16.根据权利要求1-15中任一项所述的涂覆切削工具,其中所述(Ti,Al)N层在电子衍射分析中显示的图案包含来自立方晶体结构的晶格面的衍射信号,所述立方晶体结构的晶格面是(111)、(200)、(220)或(222)晶格面中的至少一者。
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