[发明专利]反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法

权利要求书

1.一种反射型掩模坯，具有：

基板、

形成在所述基板上且具有多层膜结构的反射EUV光的反射膜、

形成在所述反射膜上且保护所述反射膜的保护膜、以及

形成在所述保护膜上且由两层以上的多层膜构成的吸收EUV光的吸收膜，特征在于，

所述吸收膜由第1吸收膜和第2吸收膜交替层叠而成，

所述第1吸收膜的电子束校正时的校正蚀刻速率大于所述第2吸收膜的电子束校正时的校正蚀刻速率，

所述第2吸收膜含有选自锡、铟、铂、镍、碲、银及钴中的1种以上的元素。

2.根据权利要求1所述的反射型掩模坯，其特征在于，

所述第1吸收膜含有选自钽、硅、钼、钛、钒、钴、镍、锆、铌及铪中的1种以上的元素。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的反射型掩模坯，其特征在于，

所述第1吸收膜和所述第2吸收膜中的至少一者含有选自氮、氧及碳中的1种以上。

4.根据权利要求1至权利要求3中任意1项所述的反射型掩模坯，其特征在于，

所述吸收膜整体的膜厚为60nm以下。

5.根据权利要求4所述的反射型掩模坯，其特征在于，

所述第1吸收膜的膜厚在0.5nm以上6nm以下的范围内。

6.根据权利要求1至权利要求5中任意1项所述的反射型掩模坯，其特征在于，

所述第2吸收膜的膜厚为35nm以下。

7.根据权利要求1至权利要求6中任意1项所述的反射型掩模坯，其特征在于，

所述吸收膜的最表层为所述第1吸收膜。

8.一种反射型掩模，具有：

基板、

形成在所述基板上且具有多层膜结构的反射EUV光的反射膜、

形成在所述反射膜上且保护所述反射膜的保护膜、以及

形成在所述保护膜上且由两层以上的多层膜构成的吸收EUV光的吸收膜，特征在于，

所述吸收膜形成有转印图案，

所述吸收膜由第1吸收膜和第2吸收膜交替层叠而成，

所述第1吸收膜的电子束校正时的校正蚀刻速率大于所述第2吸收膜的电子束校正时的校正蚀刻速率，

所述第2吸收膜含有选自锡、铟、铂、镍、碲、银及钴中的1种以上的元素。

9.根据权利要求8所述的反射型掩模，其特征在于，

所述第1吸收膜含有选自钽、硅、钼、钛、钒、钴、镍、锆、铌及铪中的1种以上的元素。

10.根据权利要求8或权利要求9所述的反射型掩模，其特征在于，

所述第1吸收膜和所述第2吸收膜中的至少一者含有选自氮、氧及碳中的1种以上。

11.根据权利要求8至权利要求10中任意1项所述的反射型掩模，其特征在于，

所述吸收膜整体的膜厚为60nm以下。

12.根据权利要求11所述的反射型掩模，其特征在于，

所述第1吸收膜的膜厚在0.5nm以上6nm以下的范围内。

13.根据权利要求8至权利要求12中任意1项所述的反射型掩模，其特征在于，

所述第2吸收膜的膜厚为35nm以下。

14.根据权利要求8至权利要求13中任意1项所述的反射型掩模，其特征在于，

所述吸收膜的最表层为所述第1吸收膜。